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BAS16W 参数 Datasheet PDF下载

BAS16W图片预览
型号: BAS16W
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内容描述: SOT- 323塑封装二极管 [SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 351 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号BAS16W的Datasheet PDF文件第2页  
SOT- 323塑封装二极管
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
开关二极管
特点
特点
工艺设计,出色的功耗报价
批量
更好的反向漏电流和耐热性。
开关速度快
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
对于通用开关应用
低功耗,高效率。
高电导
高电流能力,低正向电压降。
无铅封装
高浪涌能力。
可用的
Guardring过电压保护。
”G”
符合RoHS的产品包装代号后缀
超高速开关。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
湿气
部分满足
LEVEL 1
LEAD -FREE
灵敏度
环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
威伦
FM120-M
BAS16W
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOT-323
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
1
2
0.071(1.8)
0.056(1.4)
3
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
ry
极限
100
单位
V
V
V
mA
53
300
40
2.0
40
28
1.0
13
30
21
30
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
标记: A2
模压塑料, SOD- 123H
案例:
0.031 ( 0.8 )典型值。
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
最大额定值和
2026
电气特性,单二极管@ TA = 25 ℃
极性:由阴极频带指示
参数
安装位置:任意
非重复性峰值
反向电压
重量:的逼近0.011克
符号
V
RM
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
 
正向连续电流
评级
RMS反向电压
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
V
R( RMS )
对于容性负载,减免电流20 %
Pr
el
I
O
12
20
14
im
I
FM
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
V
RRM
峰值重复峰值
反向电压
最大额定值和电气特性
75
工作峰值反向电压
V
RWM
在25 ℃的环境评级
阻断电压DC
温度,除非另有规定。
V
R
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
INA
150
14
I
FSM
P
D
15
50
35
50
20
尺寸以英寸(毫米)
平均整流输出电流
标识代码
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
PEAK
正向浪涌电流
@t=1.0μs
最大直流阻断电压
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
mA
10
A
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
@t = 1.0S
Vo
功耗
 
热阻结到环境
存储
温度
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向平均整流电流
200
625
150
mW
Vo
峰值正向浪涌电流8.3
连接点
温度
毫秒单一正弦半波
R
θJA
 
I
FSM
T
j
C
J
T
J
℃/W
Am
 
Am
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
T
英镑
 
-55~+150
 
电气特性(除非另有说明,TA = 25 ℃ )
-55到+125
TSTG
 
 
-55到+150
℃/
P
 
-
65
到+175
 
参数
特征
最大正向电压在1.0A DC
反向击穿电压
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T
额定阻断电压DC
反向电压漏电流
A=125℃
注意事项:
符号
V
( BR )
V
F
I
R
TEST
条件
0.70
75
0.5
10
最大
0.85
单位
0.9
V
0.92
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
I
R
= 10µA
0.50
V
R
=75V
V
R
=20V
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
= 0中,f = 1MHz的
I
F
=I
R
=10mA,I
rr
=0.1×I
R,
R
L
=100Ω
Vo
 
I
R
1
25
0.715
0.855
1
1.25
2
4
µA
nA
mA
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
2-
正向电压
从结点到环境的热阻
V
F
V
二极管电容
尊恢复时间
C
D
t
rr
pF
ns
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。