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BAS19W 参数 Datasheet PDF下载

BAS19W图片预览
型号: BAS19W
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内容描述: SOT- 323塑封装二极管 [SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管开关光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 397 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SOT- 323塑封装二极管
特点
威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
BAS19W
FM120-M
BAS20W
THRU
BAS21W
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOT-323
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
批量
二极管
开关
工艺设计,出色的功耗报价
更好
特点
反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
开关速度
低功耗,高效率。
表面贴装型封装非常适合自动插入
高电流能力,低正向电压降。
通用开关应用
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速
可用的
无铅封装
切换。
硅外延平面
代号后缀“G”
符合RoHS的产品包装
芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代码
湿度敏感度等级1
后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1
3
2
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
标记:
环氧树脂: UL94 -V0
KA8
阻燃
评级
BAS19W
BAS21W
KT3
案例:模压塑料, SOD- 123H
BAS20W
KT2
,
端子:镀金端子,
最大额定值@ TA = 25 ℃
每MIL -STD- 750可焊性
方法2026
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:
参数
阴极带
用表示
安装位置:任意
峰值重复
近似​​0.011克
重量:
反向电压
阻断电压DC
平均整流输出电流
符号
V
RRM
V
R
I
O
BAS19W
100
BAS20W
150
200
200
625
尺寸以英寸(毫米)
BAS21W
250
单位
V
mA
mW
℃/W
最大额定值和电气特性
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
Pd
功耗
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流
到环境
R
θ
JA
热阻。连接点
由20%的
评级
结温
存储温度范围
最大RMS电压
最大直流阻断电压
标识代码
符号
T
J
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
150
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
T
英镑
12
20
14
13
30
21
14
40
28
40
-55~+150
35
50
15
50
16
60
18
80
56
10
100
70
115
150
105
150
120
200
140
Vo
42
60
1.0
 
30
Vo
电气特性(除非另有说明,TA = 25 ℃ )
最大正向平均整流电流
 
20
30
80
100
200
Vo
Am
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
参数
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
I
FSM
符号
TEST
条件
最大
单位
 
Am
反向击穿
(注2 )
典型热阻
电压
工作温度范围
存储温度范围
BAS19W
θJA
R
C
BAS20W
J
 
V
( BR )
-55到+125
典型结电容(注1 )
BAS21W
BAS19W
T
J
I
R
=
 
100µA
 
100
40
120
150
250
 
 
-55到+150
℃/
V
P
TSTG
-
65
到+175
 
反向电压漏电流
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
 
特征
BAS20W
F
V
I
R
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
V
R
=100V
V
R
=200V
I
R
V
R
=150V
0.50
0.70
0.5
10
0.1
0.85
µA
0.9
0.92
 
Vo
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
BAS21W
@T A = 125 ℃
mA
前锋
注意事项:
电压
V
F
C
D
t
rr
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=I
R
=30mA,I
rr
=0.1×I
R
1
1.25
5
50
V
pF
ns
 
 
尊恢复时间
2-热阻结点到环境
二极管电容
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。