欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BAS21X 参数 Datasheet PDF下载

BAS21X图片预览
型号: BAS21X
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: SOT- 23塑封装二极管 [SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 3 页 / 412 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号BAS21X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAS21X的Datasheet PDF文件第3页  
SOT- 23塑封装二极管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
威伦
FM120-M
THRU
BAS21x
FM1200-M
无铅产品
特点
开关二极管
包装外形
SOT-23
SOD-123H
批量处理的设计,出色的功耗报价
特点
反向漏电流和耐热性。
更好
低调的表面
开关速度
安装才能申请
优化电路板空间。
表面贴装型封装非常适合自动插入
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
对于通用开关应用
高浪涌能力。
高电导
过电压保护。
Guardring为
无铅封装可用
超高速开关。
产品包装代号后缀“G”
RoHS指令
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件
包装代号后缀为“H”
无卤产品
符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
湿气敏感度
填料
1
符合RoHS的产品
水平
代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
BAS21
BAS21A
MOUNTING
标记: JS
位置:任意
标记: JS2
BAS21C
标记: JS3
尺寸以英寸(毫米)
BAS21S
标记: JS4
重量:的逼近0.011克
最大额定值@ TA = 25 ℃
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
参数
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免
电压
反向重复峰值
20%的电流
标识代码
评级
工作
PEAK
反向电压
符号
V
RRM
13
30
21
30
RWM
极限
单位
 
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
V
V
250
前锋
连续
最大RMS电压
当前
最大的经常峰值反向电压
DC
阻断电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
12
20
14
V
R
I
FM
28
40
I
O
14
40
15
50
35
50
16
60
42
400
1.0
2.5
 
0.5
30
18
80
56
10
100
70
115
150
120
200
140
VOL
mA
105
150
mA
VOL
最大直流阻断
输出电流
平均
纠正
电压
 
20
60
200
80
100
200
VOL
最大平均
峰值正向浪涌电流
不重复
正向整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
典型热阻(注2 )
重复
峰值正向浪涌电流
动力
耗散
 
@ T = 1.0S
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
I
O
T =是1.0μs
@
I
FSM
Am
A
 
Am
 
I
FRM
P
D
典型结电容(注1 )
工作温度范围
电阻结
to
环境
存储温度范围
 
-55到+125
θJA
R
40
225
120
625
55
 
mA
mW
 
℃/W
PF
 
 
结温
T
J
0.50
0.70
-
65
到+175
-55到+150
℃/W
150
存储温度范围
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
T
英镑
-55~+150
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
V
F
I
R
0.85
0.5
10
0.9
0.92
 
电气特性(除非另有说明,TA = 25 ℃ )
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
 
VOL
注意事项:
参数
@T A = 125 ℃
MAM
符号
V
( BR )
I
R
V
F
C
D
t
rr
TEST
I
R
= 100µA
V
R
=200V
I
F
=100mA
I
F
=200mA
条件
250
最大
0.1
1000
1250
5
50
单位
V
µA
mV
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
反向击穿电压
 
 
2-热阻结点到环境
反向电压漏电流
正向电压
二极管电容
尊恢复时间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=I
R
=30mA,I
rr
=0.1×I
R,
R
L
=100Ω
pF
ns
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。