欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BC817-40WT1 参数 Datasheet PDF下载

BC817-40WT1图片预览
型号: BC817-40WT1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 293 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号BC817-40WT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC817-40WT1的Datasheet PDF文件第3页  
FM120-M
THRU
BC817-40WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
威伦
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
NPN硅
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,
产品材质
我们宣布
高英法fi效率。
符合RoHS要求。
高电流能力,低正向电压降。
无铅封装可用
高浪涌能力。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
Guardring过电压保护。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
最大额定值
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
等级
符号
价值
单位
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT–323
0.040(1.0)
机械数据
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
45
V
V
连续集电极电流 -
方法2026
I
C
500
MADC
INA
符号
最大
单位
R
θJA
556
° C / W
15
mW
毫瓦/°C的
50
° C / W
35
°C
50
16
60
42
60
12
20
R
θJA
14
T
J
, T
英镑
20
13
30
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
热特性
重量:的逼近0.011克
特征
ry
1
BASE
环氧树脂: UL94 -V0
电压
集电极 - 基
额定阻燃
V
CBO
50
案例:模压塑料, SOD- 123H
V
5.0
发射极 - 基极电压
EBO
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
3
0.024(0.6)
集热器
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
V
尺寸以英寸(毫米)
2
辐射源
 
热阻,结
对于容性负载,减免电流20 %
到环境
器件总功耗
评级
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
标识代码
im
最大额定值和
(1)
器件总功耗FR- 5局,
电动
D
P
特征
T
A
25°C
在25 ℃评分
=
环境温度,除非另有规定。
225
mW
减免上述25℃
1.8
毫瓦/°C的
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
P
H
符号
FM120-M
D
FM130-MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
300
14
2.4
40
18
80
56
80
1.0
 
最大
30
40
120
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
减免上述25℃
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
热阻,结到环境
最大RMS电压
V
RMS
结温和存储温度
最大直流阻断电压
V
DC
最大正向平均整流电流
 
25℃ ,除非另有说明)。
电气特性
(T
A
=
I
O
 
I
FSM
Pr
el
417
21
28
-55到+150
30
40
安培
峰值正向浪涌电流
特征
正弦波
8.3毫秒单半
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
符号
典型值
单位
 
℃/W
PF
安培
关闭
电阻(注2 )
典型的热
特征
工作温度
毫安)
(I = –10
范围
存储温度范围
C
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
典型结电容(注1 )
集电极 - 发射极击穿电压
 
V
( BR ) CEO
-55到+125
45
 
V
-55到+150
 
 
集电极 - 发射极击穿电压
(V
EB
=
特征
0, I
C
= –10
µA)
-
65
到+175
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
( BR ) CES
50
V
最大正向电压在1.0A DC
电压
发射极 - 基极击穿
额定阻断电压DC
 
V
F
I
R
最大平均
–1.0
µA)
目前在@T A = 25 ℃
(I =
反向
E
V
( BR ) EBO
0.50
5.0
0.70
0.5
10
0.85
V
0.9
0.92
 
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 20 V)
@T A = 125 ℃
MAMP
I
CBO
注意事项:
100
5.0
nA
µA
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
2-热阻结点到环境
(V
CB
= 20 V ,T
A
= 150°C)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-
威伦电子股份有限公司。