威伦
SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
晶体管（ PNP ）
优化电路板空间。
特点
功率损耗，效率高。
•
低
•
高电流能力，低正向电压降。
NPN补充意见BC868
•
高浪涌能力。
低
Guardring过电压保护。
电压
•
HIGH CURRENT
•
超高速开关。
•
硅外延
可用
无铅封装
平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
RoHS指令
免费的产品包装代码
卤素
产品包装代号后缀"G"
后缀“H”的
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
BC86
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
SOT-89
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1.基地
2.收集
3.辐射源
0.071(1.8)
0.056(1.4)
最大额定值
额定火焰
除非另有说明）
•
环氧树脂： UL94 -V0
(T
a
=25℃
阻燃
•
集电极 - 基极电压
V
CBO
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
首席执行官
机械数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
P
C
R
θJA
集电极耗散功率
im
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
结温
T
j
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
储存温度
T
英镑
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
最大额定值和电气特性
从结点到环境的热阻
250
150
-55~+150
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
Pr
el
标识代码
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
12
13
14
15
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
参数
最大直流阻断电压
INA
-1
A
500
mW
℃
℃
16
60
42
民
60
-32
1.0
-20
18
80
56
典型值
80
10
100
70
最大
100
115
150
105
单位
150
V
120
200
140
200
•
极性：由阴极频带指示
发射极 - 基极电压
V
EBO
•
安装位置：任意
I
C
•
重量
集电极电流
：的逼近0.011克
集电极 - 发射极电压
方法2026
V
RRM
20
V
RMS
符号
V
DC
V
（ BR ） CBO
I
O
V
（ BR ） CEO
14
TEST
21
28
条件
20
= -100μA ， I = 0时
40
30
I
C
E
集电极 - 基极击穿电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100µA,I
C
=0
V
CB
=-25V,I
E
=0
ry
-32
-5
V
-20
V
V
℃/W
30
40
50
35
50
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
符号
参数
,
价值
0.031 （ 0.8 ）典型值。
单位
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
V
V
-0.1
-0.1
375
0.85
-0.5
-5
30
40
120
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
直流电流增益
特征
R
θJA
I
CBO
I
C
J
EBO
µA
µA
V
EB
=-5V,I
C
=0
-55〜
I
C
=-5mA
V
CE
=-10V,
+125
h
T
J
FE(1)
TSTG
h
FE(2)
50
-
65
到+175
-55到+150
V
CE
= -1V ，我
C
=-0.5A
V = -1V ， I = -1A
I
C
=-1A,I
B
=-0.1A
0.50
V
CE
= -1V ，我
C
=-1A
V
CE
= -10V ，我
C
=-5mA
V
CE
=-5V,I
C
= -10mA ， F = 100MHz的
0.70
100
60
FE(3)
CE
C
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
h
集电极 - 发射极饱和电压
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
CE （ SAT ）
V
F
V
BE
f
T
I
R
V
0.9
V
V
兆赫
0.92
0.5
10
基地发射极
电压
额定DC阻断
电压
-1
-0.62
@T A = 125 ℃
注意事项：
过渡
频率
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
40
2-热阻结到
分类
h
FE(2)
环境
秩
范围
记号
BC869
100–375
CEC
BC869-16
100–250
CGC
BC869-25
160–375
CHC
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
