威伦
功率MOSFET 200毫安， 50伏
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
典型的应用是DC-DC转换器，电源管理
•
Guardring过电压保护。
便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，
•
超高速开关。
PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
低阈值电压（V
GS （ TH）
： 0.5V ... 1.5V ），使其非常适用于低
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
电压应用
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
THRU
BSS 8LT1
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
N沟道SOT- 23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
•
机械
可用
•
无铅封装
数据
•
环氧树脂： UL94 -V0
包装代号后缀
符合RoHS的产品
额定阻燃
”G”
•
案例：
免费产品
SOD-123H
卤素
模压塑料，
包装代号后缀为“H”
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
SOT -23
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
N - 通道
3
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
1
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
o
标记图
＆放大器;引脚分配
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
2
M
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
符号
R
θJA
V
DSS
C
J
V
GS
T
J
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
J1
70
10
100
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
J1 =器件代码
M =月守则
安培
℃/W
PF
℃
℃
单位
伏
毫安
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
等级
价值
50
±
20
单位
VDC
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
工作温度范围
漏电流
存储温度范围
VDC
-55到+125
40
120
订购信息
-55到+150
- 连续@ TA = 25°C
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
µs)
特征
I
DM
I
D
TSTG
符号
mA
航运
200
BSS138LT1
SOT–23
3000磁带&卷轴
800
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
225
- 55
150
556
260
mW
0.50
°C
° C / W
°C
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
-
65
to
设备
+175
包
最大
功率耗散@ TA
DC
总
在1.0A正向电压
= 25°C
P
D
V
F
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
T T
工作和存储温度
I
Ĵ ， STG
R
@T A = 125 ℃
评级
范围
阻断电压DC
热电阻 - 结到环境
注意事项：
目的，
结
2-热阻
10秒
到环境
R
θJA
1测在1 MHz
焊接温度
4.0 VDC 。
最大的铅
和施加的反向电压
T
L
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
