威伦
功率MOSFET
130
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
毫安， 50伏
FM120-M
BSS84LT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
P沟道SOT- 23
•
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
•
这些微型表面贴装MOSFET的降低功耗
节约能源，使
保护。
•
Guardring过电压
该器件非常适用于小功率应用
•
超高速开关。
管理电路。典型的应用是dc-dc变换器，负载
•
硅外延
管理在便携式
开关，电源
平面芯片，金属硅交界处。
和电池供电
•
无铅零件
计算机，打印机，蜂窝
产品如
符合环保标准
和无绳电话。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
•
高效节能
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
小型SOT- 23
包装代号后缀"H"
无卤产品
表面贴装封装节省电路板空间
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
机械数据
可用的
无铅封装
环氧UL94 -V0阻燃评分
代号后缀“G”
•
RoHS指令
:
产品包装
阻燃
案例：模压
产品包装代号后缀为“H”
•
无卤
塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
SOT -23
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量： 0.011的逼近
3漏
克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
-
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
1
对于容性负载，减免
门
20％的电流
评级
标识代码
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
2
最大的经常峰值反向电压
来源
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
标记图
115
18
10
80
56
80
100
70
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
PD
100
M
最大额定值
(T
J
= 25
°
C除非另有说明）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
工作温度范围
符号
R
θJA
V
DSS
C
J
T
V
GS
J
TSTG
价值
50
单位
V
dc
-55
±
20
+125
V
dc
40
120
PD =器件代码
M =月守则
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
存储温度范围
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
≤
10
µs)
特征
最大正向电压在1.0A
@ T = 25°C
总功耗
DC
A
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
范围
工作和存储温度
@T A = 125 ℃
I
D
130
I
DM
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
520
符号
订购信息
伏
0.9
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
P
D
225
mW
设备
包
航运
0.5
R
毫安
T
I
J
, T
英镑
- 55
°C
BSS84LT1
SOT-23
3000/Tape&Reel
10
150
R
θJA
T
L
556
260
° C / W
°C
mA
-
65
到+175
注意事项：
热电阻 - 结到环境
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻
10秒
目的，
结到环境
最大无铅焊接温度的
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
