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C1815 参数 Datasheet PDF下载

C1815图片预览
型号: C1815
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内容描述: SOT- 23塑封装晶体管 [SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 483 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SOT- 23塑料- ENCAP sulate晶体管
特点
威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
1 15
THRU
FM1200-
FM120-M
无铅PROD
包装外形
SOD-123H
SOT-23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
批量处理的设计,出色的功耗报价
晶体管( NPN )
表面贴装为了申请
低调
特点
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
功耗
能力,低正向电压降。
HIGH CURRENT
高浪涌能力。
无铅封装可用
Guardring过电压保护。
符合RoHS的产品包装
切换。
代号后缀“G”
超高速
产品
平面芯片,金属硅
“H”
无卤
硅外延
包装代号后缀
结。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
标记: HF
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
最大额定值(T
a
=25℃
包装
另有说明)
无卤产品
除非
代号后缀"H"
符号
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
参数
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
更好的反向漏电流和耐热性。
0.012 ( 0.3 )典型值。
1.基地
2.辐射源
3.收集
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
价值
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.040(1.0)
单位
0.024(0.6)
集电极 - 基
SOD-123H
案例:模压塑料,
电压
,
集电极 - 发射极电压
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
极性:由阴极频带指示
集电极电流 - 连续
安装位置:任意
集电极耗散功率
重量:的逼近0.011克
结温
储存温度
方法2026
发射极 - 基极电压
60
50
5
150
200
150
V
V
V
mA
mW
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单身
电动
相半波, 60赫兹,电阻
a
= 25℃除非另有
特性(T
感性负载。
 
对于容性负载,减免电流20 %
标识代码
-55-150
特定网络版)
14
40
28
40
15
60
50
35
50
16
60
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
参数
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM120
符号
测试条件
典型值
最大
单位
集电极 - 基
经常峰值
电压
电压
最大
击穿
反向
集电极 - 发射极击穿电压
最大直流阻断电压
最大RMS电压
V
( BR ) CBO
V
RRM
V
( BR ) CEO
V
RMS
V
DC
 
12
13
I
C
== 0
为100uA ,我
30
20
E
V
V
uA
uA
uA
120
200
I= 0
C
= 0.1毫安,我
B
20
30
14
21
50
42
140
200
集电极截止电流
最大正向平均整流电流
 
V
CB
= 60V ,我
E
I
CBO
I
= 0
O
0.1
0.1
0.1
 
400
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
=
I
首席执行官
I
FSM
V
CE
= 50V ,我
B
0
集电极截止电流
发射极截止电流
典型热阻(注2 )
直流电流增益
工作温度范围
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
=
I
EBO
R
θJA
V
EB
= 5V ,我
C
0
 
h
FE
C
J
T
J
典型结电容(注1 )
V
CE
= 6V ,我
C
= 2毫安
 
-55到+125
130
 
 
-
65
到+175
-55到+150
存储温度范围
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
特征
最大正向电压在1.0A DC
 
TSTG
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE ( SAT )
0.25
0.85
V
0.9
V
BE ( SAT )
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 -MH
1
FM1100-MH
V
FM1150-MH
FM1200
符号
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
F
最大平均
跃迁频率
反向电流@T A = 25 ℃
f
T
额定阻断电压DC
 
V
CE
= 10V ,我
C
= 1mA时,
f=30MHz
0.50
0.70
0.9
@T A = 125 ℃
I
R
80
0.5
10
兆赫
分类h及
FE
反向的4.0 VDC电压。
1测得1 MHz和应用
注意事项:
 
范围
 
2-热阻结点到环境
L
H
200-400
130-200
2012-06
威伦电子有限公司
2012-
0
威伦电子股份有限公司。