FM120-M
THRU
DS751-40WB
WBFBP-02C
装载肖特基整流器-20V- 200V
塑料封装二极管
FM1200-M
1.0A表面
SOD-123
•
批量工艺设计，
肖特基二极管
漏出色的功耗报价
更好的反
电流和耐热性。
描述
型材表面安装，以便应用程序
•
低
优化电路板空间。
硅外延
功率损耗，效率高。
平面
•
低
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
特点
•
Guardring过电压保护。
小
•
超高速开关。
表面安装型
•
硅外延平面芯片，金属
电压
低反向电流和低正向
硅结。
•
无铅零件符合环保标准
高可靠性
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
WBFBP-02C
0.146(3.7)
(1.0×0.6×0.5)
0.130(3.3)
单位：mm
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
重量：的逼近0.011克
标记：
5
最大额定值和电气特性
最大额定值和电气特性，单二极管@ TA = 25 ℃
评级
标识代码
im
12
20
14
13
30
21
30
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
INA
14
15
范围
40
50
28
40
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
10
单位
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
RMS
V
DC
20
无铅封装
方法2026
可用
•
极性：用表示
CODE
BAND
符合RoHS的产品包装
阴极
后缀“ G”
•
安装位置：任意
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
Pr
el
V
RM
V
R
I
O
参数
最大的经常峰值反向电压
峰值反向电压
符号
V
RRM
最大RMS电压
ry
40
30
30
35
50
应用
机械数据
高速
环氧树脂： UL94 -V0
发现
阻燃
开关
为
额定火焰
•
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
DVD-ROM
端子：镀金端子，焊每MIL -STD- 750 ，
•
笔记本电脑等）
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大直流阻断电压
V
V
DC
最大正向平均整流电流
反向电压
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
意思是整流电流
I
O
I
FSM
mA
峰值正向浪涌电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
I
FSM
P
D
R
θJA
C
J
T
J
-55到+125
150
100
1000
mA
mW
-
65
到+175
-55到+150
从热阻
TSTG
特征
结到环境
最大正向电压在1.0A DC
R
θJA
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
℃/W
℃
℃
结温
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
T
j
V
F
I
R
0.50
1
5
-55~+150
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
评级
温度
存储
阻断电压DC
注意事项：
@T A = 125 ℃
T
英镑
电气额定值
和应用4.0伏的反向电压。
@Ta=25℃
1测在1 MHz
2-热阻结点到环境
参数
符号
V
F
I
R
C
T
民
典型值
最大
0.37
0.5
单位
V
μA
pF
条件
I
F
=1mA
V
R
=30V
V
R
=1V,f=1MHZ
正向电压
反向电流
终端之间的电容
2
2012-06
威伦电子COR
2012-11
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
