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DTA114EUA 参数 Datasheet PDF下载

DTA114EUA图片预览
型号: DTA114EUA
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内容描述: PNP晶体管数字 [PNP Digital Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 408 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号DTA114EUA的Datasheet PDF文件第2页  
FM120-M
DTA114EUA
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
威伦
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
.004(0.10)MIN.
特点
隔离,以使输入的负偏压。他们也有
机械数据
利用几乎完全消除了寄生效应。
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
只有通/断条件需要设置操作,使得
设备
案例:
塑料, SOD- 123H
设计
模压
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.024(0.6)
.010(0.25)
.003(0.08)
.096(2.45)
.078(2.00)
0.040(1.0)
0.031 ( 0.8 )典型值。
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
无铅封装可用
正向电压降。
高电流能力,低
RoHS指令
高浪涌能力。
代号后缀“G”
产品包装
Guardring过电压保护。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
超高速开关。
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
水分动态
无铅零件符合环保标准
灵敏度电平1
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
没有
连接外部输入电阻
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
偏置
无卤
包括
薄膜电阻具有完整
电阻器
产品
of
包装代号后缀"H"
SOT-323
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符号
参数
典型值
最大
单位
安装位置:任意
电源电压
V
CC
---
-50
---
V
V
IN
-40
---
10
V
输入电压
重量:的逼近0.011克
-50
I
O
输出电流
---
---
mA
I
C(最大值)
-100
最大额定值和电气特性
P
d
功耗
---
200
---
mW
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
---
T
j
结温
---
150
 
T
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
---
储存温度
-55
英镑
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
150
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
.056(1.40)
最大的经常峰值反向
电气特性@
电压
25
V
RRM
12
20
13
30
14
40
15
50
35
.047(1.20)
16
18
60
80
.054(1.35)
.045(1.15)
绝对
最大额定值@ 25
BAND
极性:由阴极指示
尺寸以英寸(毫米)
.087(2.20)
.070(1.80)
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
14
21
28
最大RMS电压
V
RMS
符号
参数
典型值
最大
单位
最大
输入电压
电压
隔直
(V
CC
= -5V ,我
O
=-100­A)
30
V
40
V
V
我(关闭)
-0.5
DC
---
20
---
-3.0
---
I
O
---
V
V
我(上)
(V
O
整流电流
最大正向平均
= -0.3V ,我
O
=-10mA)
V
O(上)
输出电压(I
O
/I
I
=-10mA/-0.5mA
---
---
-0.3
V
 
 
I
I
输入电流(V
I
=-5V)
---
-0.88
mA
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
---
I
FSM
---
­A
I
O(关)
输出电流( V
CC
=-50V, V
I
=0)
---
-0.5
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
G
I
直流电流增益(V
O
= -5V ,我
O
=-5mA)
30
---
---
 
典型的热
阻力
(注2 )
R
R
1
输入
阻力
7.0
θJA
10
13
 
典型结电容(注1 )
C
J
1.0
R
2
/R
1
电阻率
0.8
1.2
-55到+125
跃迁频率
工作温度范围
f
T
---
T
J
250
---
兆赫
(V
O
= -10V ,我
O
= 5毫安中,f = 100MHz时)
存储温度范围
TSTG
42
56
80
40
120
.016(0.40)
 
.008(0.20)
 
 
尺寸
到+175
(毫米)
(英寸)
-
65
-55到+150
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
.043(1.10)
.032(0.80)
50
60
.004(0.10)MAX.
1.0
 
30
 
V
F
0.50
建议
0.70
0.70
10
0.90
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
标记:
@T A = 125 ℃
14
额定阻断电压DC
 
SOLDER
0.85
焊盘布局
0.5
0.9
0.92
 
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
1.90
mm
 
 
0.65
0.65
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR