FM120-M
DTA114TCA
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
优化电路板
特点
功率损耗， space.efficiency 。
高
•
低
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
•
•
•
•
超高速开关。
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
水分动态敏感度等级1
环保标准
•
无铅零件符合
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
没有
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
（见等效电路）
连接外部输入电阻
偏置
无卤产品
薄膜的
代号后缀"H"
完整
电阻组成
包装
电阻器
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
机械数据
利用几乎完全消除了寄生效应
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
只有通/断条件需要设置操作，使得
•
案例模压
装置的设计
:
易
塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
.063(1.60)
.047(1.20)
无铅
高电流能力，低正向电压降。
•
包可
•
高浪涌
填料
符合RoHS的产品
能力。
代号后缀“G”
•
Guardring过电压保护。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
SOT-23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.122(3.10)
.106(2.70)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.080(2.04)
.070(1.78)
.006(0.15)MIN.
0.031 （ 0.8 ）典型值。
绝对最大额定值
•
极性：
参数
由阴极频带指示
符号
集电极 - 基
•
安装位置：任意
V
CBO
电压
集电极 - 发射极
重量：的逼近0.011克
V
首席执行官
•
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
最大
V
EBO
I
C
评级
价值
-50
-50
-5
-100
电动
单位
尺寸以英寸（毫米）
和
V
V
V
mA
特征
mW
集电极耗散
200
在25 ℃的环境温度额定值
P
C
除非另有规定ED 。
单相
范围
负载。
结温
半波， 60赫兹，电阻
J
电感
-55~150
T
of
20%
存储
对于电容
范围
通过减免电流
T
英镑
温度
负载，
-55~150
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
.008(0.20)
电气特性
最大RMS电压
V
RRM
12
20
14
13
30
21
14
40
28
15
50
35
16
60
18
.003(0.08)
10
80
100
56
70
.083(2.10)
.110(2.80)
115
150
105
120
200
140
符号
最大直流阻断电压
参数
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
.004(0.10)MAX.
集电极 - 基极击穿电压
-50
---
---
V
V
（ BR ） CBO
(I
C
正向平均整流电流
最大
= -50uA ，我
E
=0)
I
O
1.0
集电极 - 发射极击穿电压
---
-50
---
V
V
（ BR ） CEO
(I
C
= -1mA ，我
B
电流8.3ms单一正弦半波
峰值正向浪涌
=0)
30
I
FSM
发射极 - 基
负荷（ JEDEC的方法）
.020(0.50)
叠加在额定
击穿电压
-5
---
---
V
V
（ BR ） EBO
(I
E
= -50uA ，我
C
=0)
.012(0.30)
40
典型
集热器
电阻（注2 ）
热
截止电流
R
θJA
---
---
-0.5
uA
I
CBO
120
典型
(V
CB
= -50V ，我
E
=0)
结电容（注1 ）
C
J
尺寸以英寸
-55到+150
（毫米）
发射极截止电流
-55到+125
工作温度范围
T
J
---
---
-0.5
uA
I
EBO
(V
EB
= -4V ，我
C
=0)
-
65
到+175
存储温度范围
TSTG
直流电流增益
100
250
600
---
h
FE
(V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA)
建议焊料
集电极 - 发射极饱和电压
特征
---
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
---
-0.3
V
V
CE （ SAT ）
(I
C
在正向电压
焊盘布局
0.9
最大
= -10mA ，我
B
=-1mA)
1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
13
K
7
10
R
1
输入电阻
.031
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
跃迁频率
I
R
.800
---
250
---
兆赫
f
T
10
额定DC阻断
I
电压
f=100MHz)
@T A = 125 ℃
(V
CE
=-10V,
C
=-5mA,
民
V
RMS
典型值
最大
单位
42
注意事项：
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
*标记： 94
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
.037
.950
.037
.950
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
.055(1.40)
.035(0.89)
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
