FM120-M
LM1MA141WA
THRU
共阳极硅
FM1200-M
LM1MA142WA
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
威伦
双开关二极管
SOD-123
包
无铅产品
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
这种共阳极硅外延平面双二极管是专为使用
•
低功耗，高效率。
在超高速开关应用。此装置被安置在S -
•
高电流能力，低正向电压降。
包
浪涌能力。
针对低功耗表面贴装应用。
•
高
其目的是
•
•
Guardring过电压保护。
快速吨
rr
， < 10纳秒
•
•
超高速开关。
低C
D
， < 15 pF的
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
我们声明该产品的材料
•
无铅零件符合环保标准
符合RoHS要求。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
LEVEL 1
湿气敏感度
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
设备标记和订购信息
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOT- 323封装
共阳极
双开关
0.071(1.8)
二极管
0.056(1.4)
40/80 V-百毫安
表面贴装
0.012 （ 0.3 ）典型值。
机械数据
设备
包
航运
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
LM1MA141WA
SOT-323
3000/Tape&Reel
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
SOT-323
,
LM1MA142WA
3000/Tape&Reel
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
•
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
安装位置：任意
器件标识
•
重量：的逼近0.011克
LM1MA141WA = MN
无铅封装
2026
法
可用的
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
极性：由阴极频带指示
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
SOT - 323 / SC - 70
尺寸以英寸（毫米）
阳极
3
LM1MA142WA = MO
LM1MA142WA
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
正向电流
单身
最大RMS电压
V
RMS
双
最大直流阻断电压
V
DC
最大正向电流
单身
最大正向平均整流电流
标识代码
1
最大
(T
A
= 25°C)
2
最大额定值
额定值和电气特性
阴极
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
等级
符号价值
单位
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
反向电压
LM1MA141WA
V
R
40
V
dc
对于容性负载，减免电流20 ％
标记符号
LM1MA142WA
80
X
型号141WA142WA
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
评级
符号
MN
MO
峰值反向电压
LM1MA141WA
V
RM
40
V
dc
MN
U
I
F
12
20
14
双
峰值正向浪涌电流8.3
当前
正弦半波
峰值正向浪涌
MS单
单身
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
双
典型热阻（注2 ）
I
O
I
FM
20
100
21
150
30
225
340
500
750
13
80
30
14
40
28
40
MADC
MADC
MADC
15
50
35
50
16
60
的“X”表示一个更小的α位日期
80
100
150
代码。日期代码表示实际月
42
在该部分被制造。
56
70
105
18
10
115
120
200
140
V
V
60
1.0
30
40
120
80
100
150
200
V
A
I
FSM
R
θJA
C
J
I
FSM(1)
A
热特性
典型结电容（注1 ）
等级
工作温度范围
存储温度范围
功耗
最大
-55到+125
单位
150
mW
150
°C
0.50
-55到+150
℃
结温
储存温度
特征
符号
T
J
P
D
TSTG
T
J
V
F
I
R
-
65
到+175
最大正向电压在1.0A DC
T
英镑
符号
–55 ~ +150
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
°C
特征
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
电气特性
(T
A
= 25°C)
0.70
0.85
0.5
0.9
0.92
V
注意事项：
符号
反向电压漏电流LM1MA141WA
I
R
LM1MA142WA
V
F
V
R
C
D
t
rr(2)
条件
V
R
= 35 V
V
R
= 75 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
µA
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
=10mA,V
R
=6.0V
R
L
=100Ω,I
rr
=0.1 I
R
民
10
—
—
—
40
80
—
—
最大
0.1
0.1
1.2
—
—
15
10
单位
μAdc
VDC
VDC
pF
ns
m
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
正向电压
反向击穿电压
二极管电容
反向恢复
1， T = 1秒
LM1MA141WA
LM1MA142WA
时间
2012-06
测试电路
2. t
rr
威伦电子股份有限公司
2012-1
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
