FM120-M
MMBD2004SW
THRU
SOT- 323塑封装二极管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好
二极管
开关
反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装,以便应用程序
特点
电路板空间。
OPTIMIZE
•
低功耗,
硅双开关串联的二极管
CMSD2004S类型
高英法fi效率。
•
高电流能力,低正向电压降。
制造
能力。
•
高浪涌
外延平面工艺,设计用于
•
Guardring过电压保护。
应用程序需要高电压能力。功耗
•
超高速开关。
无铅封装可用
•
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
无铅零件符合环保标准
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装
湿度敏感度等级1
代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
SOT-323
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1
3
2
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
•
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
•
案例:模压塑料, SOD- 123H
标记: B6D
,
•
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
最大额定值@T
A
由阴极频带
•
极性:指示
=25℃
•
安装位置:任意
参数
符号
•
重量:的逼近0.011克
非重复性峰值反向电压
阻断电压DC
V
RM
V
R
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,
重复峰值电流
阻感性负载。
I
O
对于容性负载,减免电流20 %
尺寸以英寸(毫米)
极限
300
240
225
225
13
30
21
30
14
40
28
40
单位
V
V
mA
mA
最大额定值和电气特性
连续正向电流
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
I
F
重复峰值正向电流
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
I
FRM
V
RRM
V
RMS
正向浪涌电流TP = 1
μs
I
FSM
12
20
14
20
625
15
50
35
4.0
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
mA
115
A
150
105
120
200
140
200
伏
伏
正向浪涌电流
最大直流阻断电压
TP = 1秒
I
FSM
V
DC
I
O
Pd
T
J
I
FSM
1.0
50
250
150
A
150
mW
℃
伏
最大
耗散
动力
正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
结温
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
AMP
AMP
储存温度
(注2 )
典型热阻
范围
典型结电容(注1 )
工作温度范围
储存温度
特征
电动
范围
特征
T
θJA
R
英镑
C
J
T
J
-55~+150
-55到+125
-55到+150
℃
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
TSTG
( TA = 25 ℃除非另有规定)
参数
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
符号
V
F
I
R
V
( BR )
TEST
0.50
条件
0.70
民
最大
0.85
单位
0.9
V
0.92
伏
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
反向击穿电压
@T A = 125 ℃
I
R
= 100μA
V
R
=240V
I
F
=100mA
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=30mA,R
L
=100Ω
240
10
0.1
1
5
50
0.5
MAMP
注意事项:
反向
电压漏电流
I
R
V
F
C
D
t
rr
mA
V
pF
ns
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
正向电压
2-热阻结点到环境
二极管电容
尊恢复时间
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。