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MMBD4148T 参数 Datasheet PDF下载

MMBD4148T图片预览
型号: MMBD4148T
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内容描述: SOT- 523塑封装二极管 [SOT-523 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 339 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
MMBD4148T
THRU
BAS16T
SOT- 523塑封装二极管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
威伦
无铅产品
特点
开关二极管
包装外形
SOT-523
SOD-123H
批量处理的设计,出色的功耗报价
特点
反向漏电流和耐热性。
更好
开关速度
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
通用开关应用
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
无铅封装可用
Guardring过电压保护。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
超高速开关。
硅外延平面
填料
硅结。
无卤素产品
芯片,金属
代码后缀“H”的
无铅零件符合环保标准
湿度敏感度等级1
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
1
2
0.071(1.8)
0.056(1.4)
3
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
标记:
无卤素产品的包装代号后缀"H"
MMBD4148T : KA2 ,
机械数据
BAS16T : A2
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
最大额定值@ TA = 25 ℃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
码头
参数
:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
符号
非重复性峰值
反向电压
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
极限
100
单位
V
尺寸以英寸(毫米)
极性:由阴极频带指示
峰值重复峰值
反向电压
安装位置:任意
工作
峰值反向电压
0.011克
重量:的逼近
阻断电压DC
RMS反向电压
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
75
V
最大额定值和电气特性
53
300
150
13
30
21
30
14
1.0
40
28
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
正向连续电流
阻感性负载。
I
FM
单相半波,60赫兹,
对于容性负载,减免电流
I
O
 
平均整流输出电流
20%
V
mA
mA
A
10
100
70
115
150
105
150
120
200
140
200
PEAK
正向浪涌
评级
@t=1.0μs
当前
标识代码
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
2.0
功耗
最大的经常峰值反向电压
@
t=1.0s
I
FSM
Pd
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
 
I
FSM
R
θJA
12
20
14
最大RMS电压
200
mW
Vo
Vo
热阻
电压
到环境
最大直流阻断
连接点
连接点
温度
整流电流
最大正向平均
 
R
θJA
20
T
j
T
英镑
40
625
K / W
100
Vo
150
-55~+150
Am
存储
温度
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
Am
电气额定值@ TA = 25 ℃
典型热阻(注2 )
工作温度范围
典型结
参数
(注1 )
电容
 
75
0.715
0.50
-55到+125
 
条件
I
F
=1mA
I
F
=10mA
0.85
0.9
0.92
 
符号
T
J
C
J
典型值
 
最大
单位
V
V
V
0.70
 
P
 
反向击穿电压
存储温度范围
-55到+150
V
TSTG
( BR )
V
F1
V
F2
V
F3
V
F
I
R
-
65
到+175
I
R
=1μA
 
特征
最大
电压
前锋
正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
0.855
1.0
1.25
1
25
2
4
Vo
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
V
μA
nA
pF
ns
0.5
10
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
@T A = 125 ℃
V
F4
mA
反向电流
注意事项:
I
R1
R2
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
I
2-热阻结点到环境
 
终端之间的电容
 
反向恢复时间
C
T
t
rr
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。