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MMBD4148 参数 Datasheet PDF下载

MMBD4148图片预览
型号: MMBD4148
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内容描述: SOT- 23塑封装二极管 [SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 3 页 / 394 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOT- 23塑封装二极管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量工艺设计,
开关二极管
漏出色的功耗报价
更好的反
电流和耐热性。
特点
型材表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
开关速度快
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
对于通用开关应用
浪涌能力。
Guardring过电压保护。
无铅封装可用
超高速开关。
硅外延
包装代号后缀“G”
符合RoHS的产品
平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
无卤素产品包装代码
of
后缀“H”的
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
湿度敏感度等级1
无卤素产品的包装代号后缀"H"
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
FM120-M
THRU
MMBD4148
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOT-23
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1
3
2
机械数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
标记: KA2
:镀金端子,焊每MIL -STD- 750 ,
码头
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
最大额定值和电气特性,单二极管@ TA = 25 ℃
尺寸以英寸(毫米)
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
参数
符号
极限
单位
重量的逼近
电压
不重复
:
PEAK
反向
0.011克
V
RM
100
V
最大额定值和电气特性
V
RRM
峰值重复峰值
反向电压
工作峰值反向电压
除非另有
V
RWM
75
在25 ℃的环境温度额定值
指定的。
隔直
半波,60赫兹,感性负载的电阻。
V
R
单相
电压
V
 
RMS反向电压
对于容性负载,减免电流20 %
评级
正向连续电流
标识代码
最大
整流输出电流
平均
经常峰值反向电压
最大RMS电压
PEAK
正向浪涌电流
@t=1.0μs
最大直流阻断电压
@
t=1.0s
 
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
R( RMS )
I
FM
53
V
V
RRM
I
O
V
RMS
V
DC
FSM
I
O
Pd
 
R
I
FSM
θJA
R
θJA
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
40
150
300
14
2.0
40
1.0
28
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
mA
10
100
mA
70
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
Vo
I
A
100
mW
℃/W
Vo
功耗
最大正向平均整流电流
350
357
Am
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
环境
热阻结到
正弦半波
 
连接点
温度
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
Am
存储
温度
(注1 )
典型结电容
典型热阻(注2 )
工作温度范围
T
j
 
150
-55~+150
 
T
C
J
英镑
 
 
℃/
P
-55到+125
 
-
65
到+175
-55到+150
电气额定值@ TA = 25 ℃
存储温度范围
 
参数
特征
符号
符号
V
V
F
( BR )
I
V
F1
R
典型值
最大
单位
条件
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
75
0.50
0.70
V
0.85
I
R
=100μA
0.9
0.92
 
最大
击穿电压
反向
正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
Vo
@T A = 125 ℃
0.715
0.855
1.0
1.25
2.5
25
2
4
V
V
V
V
μA
nA
pF
ns
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
10
0.5
mA
正向电压
注意事项:
2-热阻结点到环境
V
F2
V
F3
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
V
F4
I
R1
I
R2
C
T
t
rr
 
 
反向电流
终端之间的电容
反向
恢复时间
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-12
威伦电子股份有限公司。