FM120-M
MMBD4448TW
THRU
SOT- 363塑封装二极管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
SOT-363
0.146(3.7)
0.130(3.3)
开关二极管
表面贴装为了申请
•
低调
优化电路板空间。
特点
•
低功耗，高效率。
快
高电流能力，低正向电压降。
•
开关速度
•
高浪涌能力。
超小型表面贴装封装
•
Guardring过电压保护。
对于通用开关应用
•
超高速开关。
高
硅外延
功耗
硅结。
•
导
平面芯片，金属
•
无铅零件符合环保标准
无铅封装可用
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
更好的反向漏电流和耐热性。
0.012 （ 0.3 ）典型值。
6
5
4
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符合RoHS的产品
包装代码
苏FFI X
＆ QUOT ; G＆ QUOT ;
•
符合RoHS的产品
包装CODE
苏FFI X
”G”
无卤素产品包装代码
后缀“H”的
无卤素产品包装代码
后缀"H"
1
2
3
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
湿度敏感度等级1
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
标记： KA3
方法2026
•
极性：由阴极频带指示
最大额定值
@ TA = 25 ℃，除非另有规定
•
安装位置：任意
特征
符号
•
重量：的逼近0.011克
非重复性峰值反向电压
V
RM
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
INA
价值
100
75
53
500
250
12
20
14
13
I
FSM
30
尺寸以英寸（毫米）
单位
V
V
V
mA
mA
10
A
100
工作峰值反向电压
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
V
RWM
V
R
阻断电压DC
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
V
R（ RMS ）
RMS反向电压
对于容性负载，减免
by
正向连续电流
当前
1)
20%
I
FM
（注
非重复峰值正向浪涌电流
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
功率耗散（注1 ）
标识代码
Pr
el
平均整流器ED输出电流（注1 ）
评级
im
I
O
@ T <毫秒
@ T <
V
RRM
1s
V
RMS
I
O
最大额定值和电气特性
V
RRM
反向重复峰值电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
14
40
28
40
15
50
最大直流阻断电压
热阻结到环境
（注1 ）
V
DC
P
d
21
20
R
qJA
30
T
j
, T
英镑
16
4
1.5
60
35
200
42
18
80
56
80
1.0
30
115
150
105
150
120
200
140
200
VOL
50
625
60
70
mW
100
° C / W
VOL
VOL
最大正向平均整流网络版
范围
工作和存储温度
当前
-55~+150
°C
Am
电气特性
特征
典型热阻（注2 ）
反向
结电容（注1 ）
典型
击穿电压（注2 ）
工作温度范围
存储
电压（注2 ）
前锋
温度范围
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
@ TA = 25°C
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
除非
I
FSM
另有规定编
民
-55到+125
0.62
Am
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
符号
V
（ BR ）R
V
F
75
¾
¾
¾
最大
¾
0.720
0.855
1.0
1.25
2.5
50
30
25
单位
40
测试条件
V
120
I
R
= 10毫安
-55
I
F
= 5.0毫安
+150
I
F
= 10毫安
-
V
65
到+175
50mA
I
F
=
I
F
= 150毫安
℃/
PF
℃
℃
特征
反向电流（注2 ）
总电容
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
V = 75V
V
F
I
R
I
R
C
T
t
rr
0.50
¾
¾
¾
4.0
4.0
mA
R
V
R
= 75V ，T
j
= 150°C
0.9
0.70
mA
0.85
mA
0.5
V
R
= 25V ，T
j
= 150°C
V
R
= 20V
nA
10
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
pF
ns
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
0.92
VOL
MAM
注意事项：
反向恢复时间
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1
2-热阻结点到环境
英寸× 0.85英寸× 0.062英寸。
2，持续时间短的测试脉冲用于减少自热。
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
