150mA
表面贴装
开关二极管- 100V
1.0A表面贴装肖特基
SOT- 23封装
势垒整流器-20V- 200V
SOD-123
包
特点
工艺设计，出色的功耗报价
•
批量
更好的反
*开关速度快。
漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
*电ldentical到Standerd JEDEC
优化电路板空间。
*高
•
导
损失，效率很高。
低功耗
*表面贴装封装ldeally适合自动lnsertion 。
•
高电流能力，低正向电压降。
*符合RoHS
高浪涌
包装代号后缀"G"
•
产品
能力。
威伦
FM120-M
MMBD4448
THRU
FM1200-M
无铅产品
.006(0.15)MIN.
0.012 （ 0.3 ）典型值。
特点
包装外形
SOT-23
SOD-123H
.063(1.60)
.047(1.20)
.122(3.10)
.106(2.70)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
无卤素产品的包装代号后缀"H"
•
Guardring过电压保护。
湿度敏感度等级1
•
超高速开关。
*
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
机械
部分符合环保标准
•
LEAD -FREE
数据
案例： SOT -23塑料外壳。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
顶视图
单身
•
符合RoHS的产品
每MIL -STD- 750，方法
终端：焊
包装代号后缀"G"
2026
无卤
8mm磁带的
3
标准包装：
产品包装代号后缀"H"
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.080(2.04)
.070(1.78)
.008(0.20)
.003(0.08)
机械数据
重量：约
0.0003盎司， 0.0084
克
.004(0.10)MAX.
.055(1.40)
.035(0.89)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
1
2
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.020(0.50)
.012(0.30)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
最大额定值和电气特性
•
在25 ℃的环境温度，除非另有规定。
评级
安装位置：任意
单身
•
相半
近似0.011克
重量：
波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
最大额定值和电气特性
MMBD4448
评级
单位
在25 ℃的环境温度，除非另有评级
符号
指定的。
A3
标识代码
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
75
反向电压
伏
V
R
对于容性负载，减免电流20 ％
100
峰值反向电压
伏
V
RM
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
评级
50
RMS电压
伏
V
RMS
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
75
最大直流阻断电压
伏
150
V
DC
20
30
40
50
60
80
100
200
最大的经常峰值反向电压
Vo
V
RRM
150
最大平均正向电流
毫安
I
AV
Vo
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
4
峰值正向浪涌电流1.0us
安培
I
FSM
Vo
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
250
功率耗散减免上述TA = 25 ℃
mW
P
合计
Am
最大
热
正向整流电流
I
O
R
θJA
1.0
357
典型
平均
阻力
℃/W
4
典型结
目前的8.3毫秒
（注
正弦波
C
J
P
F
峰值正向浪涌
电容
单半
1)
30
I
FSM
Am
-55~+150
℃
操作
on
存储温度范围
T
J
,T
英镑
叠加
和
额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
MMBD4448
单位
-55到+125
-55到+150
工作温度范围
℃
0.72
@ 0.005A DC
TSTG
-
65
到+175
存储温度范围
℃
V
F
伏
最大正向电压
1.00
@ 0.1A DC
2.5
@ 75V DC
uAmps
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
特征
符号
I
R
最大平均反向电流
25
NAMPS
0.9
Vo
最大正向电压在1.0A DC
@ 25V DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
反向恢复时间（注2 ）
4
TRR
纳秒
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
mA
注意：
10
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
1. CJ在VR = 0 ， F = 1MHZ
注意事项：
2.从IF = 10mA至IR = 1mA时， VR = 6Volts ， RL = 100Ω
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
电气额定值@ TA = 25 ℃
典型结电容（注1 ）
R
θJA
C
J
符号
T
J
特征
40
120
.083(2.10)
.110(2.80)
℃
P
2012-1
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
