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MMBT2222AWT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2222AWT1图片预览
型号: MMBT2222AWT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 295 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
THRU
MMBT2222AWT1
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
通用晶体管
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
NPN
型材表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
这些晶体管被设计用于一般
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
目的放大器应用。他们是
高浪涌能力。
安置在SOT- 323 / SC- 70封装,
Guardring过电压保护。
是专为低功耗表面贴装
超高速开关。
应用程序。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
我们声明该产品的材料
无铅零件符合环保标准
符合RoHS要求。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
无铅封装
包装代号后缀"G"
符合RoHS的产品
可用
符合RoHS的产品
产品包装
苏FFI X
后缀"H"
无卤
包装代码
CODE
”G”
SOD-123H
威伦
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
3
集热器
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1
BASE
2
辐射源
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
机械数据
SOT–323
0.040(1.0)
0.024(0.6)
ry
0.031 ( 0.8 )典型值。
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料,
最大额定值
SOD-123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
集电极 - 基极电压
V
CBO
安装位置:任意
发射极 - 基极电压
V
EBO
重量:的逼近0.011克
连续集电极电流 -
I
等级
符号
方法2026
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
极性:由阴极频带指示
价值
40
75
0.031 ( 0.8 )典型值。
单位
VDC
VDC
 
T
A
= 25°C
最大的经常峰值反向电压
热阻结到环境
最大RMS电压
结温和存储温度
最大直流阻断电压
 
标识代码
设备损耗FR- 5局,
Pr
el
12
P
D
20
R
θJA
14
T
J
, T
英镑
20
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
热特性
对于容性负载,减免电流20 %
特征
符号
FM130-MH
最大
H
评级
符号
FM120-M
im
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
13
30
C
最大额定值和电气特性
INA
6.0
VDC
600
MADC
单位
150
14
40
833
21
28
-55到+150
30
40
15
mW
50
° C / W
35
°C
50
尺寸以英寸(毫米)
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏特
伏特
伏特
最大正向平均整流电流
AMP
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
MMBT2222AWT1
= P1
器件标识
 
I
FSM
 
 
AMP
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
存储温度范围
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有
 
注意)。
C
J
T
J
TSTG
R
θJA
 
 
-55
单位
+150
℃/W
PF
工作温度范围
特征
-55
符号
+125
 
最大
 
开关特性
-
65
到+175
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
特征
V
( BR ) CEO
40
VDC
伏特
0.9
在正向电压最大
B
1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
(I
C
= 1.0 MADC ,I = 0)
集电极 - 基
目前在@T A = 25 ℃
最大平均反向
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ,
I
C
= 0)
基地截止电流
CE
EB
(I
C
= 10
电压
额定DC阻断
μAdc ,
I
E
= 0)
 
@T A = 125 ℃
I
R
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
75
6.0
20
10
0.5
10
VDC
VDC
NADC
NADC
 
MAM
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
2-热阻结点到环境
( V = 60伏,V = 3.0 V直流)
I
BL
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
( V = 60伏,V = 3.0 V直流)
CE
EB
1.脉冲测试:脉冲Width<300
µs,
值班Cycle<2.0 % 。
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。