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MMBT2907LT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT2907LT1
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内容描述: 通用晶体管PNP硅 [General Purpose Transistor PNP Silicon]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 530 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
通用晶体管
PNP硅
符合RoHS的产品包装代号后缀"G" ,
重量: 0.008克
无卤素产品的包装代号后缀"H" 。
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
价值
2907 2907A
–40
–60
–5.0
–600
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
集热器
SOT–23
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
BASE
2
辐射源
R
θJA
P
D
器件标识
MMBT2907LT1
= M2B ,
MMBT2907AL
T1 = 2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
(I
C
= -10 MADC ,我
B
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= –10
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= –10
μAdc ,
I
C
= 0)
集电极截止电流(V
CB
= -30Vdc ,我
BE (OFF)的
= -0.5Vdc )
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -50Vdc ,我
E
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
CBO
V
( BR ) CEO
VDC
–40
–60
–60
–5.0
–50
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
VDC
VDC
NADC
μAdc
MMBT2907
MMBT2907A
基本电流( V
CE
= -30Vdc ,V
EB (O FF )
= -0.5Vdc )
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
µs,
占空比< 2.0 % 。
( V
CB
= -50Vdc ,我
E
= 0, T
A
=125°C )
I
B
NADC