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MMBT2222ALT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2222ALT1图片预览
型号: MMBT2222ALT1
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内容描述: 通用晶体管NPN硅 [General Purpose Transistors NPN Silicon]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 476 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
通用晶体管
NPN硅
符合RoHS的产品包装代号后缀"G" ,
重量: 0.008克
无卤素产品的包装代号后缀"H" 。
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
2222
30
60
5.0
600
2222A
40
75
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
BASE
3
集热器
SOT- 23
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
R
θJA
P
D
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
225
单位
mW
2
辐射源
订购信息
设备
记号
M1B
1P
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
R
θJA
T
J
, T
英镑
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
器件标识
MMBT2222LT1=
M1B ;
M
MBT2222ALT1 =
1 P
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CE
= 60 VDC ,我
EB (O FF )
= 3.0VDC )
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 50伏直流,我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0)
(V
CB
= 50伏直流,我
E
= 0, T
A
= 125°C)
(V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0, T
A
= 125°C)
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222A
V
I
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
V
30
40
––
––
10
VDC
( BR ) CBO
60
75
5.0
6.0
VDC
VDC
NADC
μAdc
CEX
I
CBO
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
I
EBO
I
BL
––
––
––
––
0.01
0.01
10
10
100
20
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.0伏,我
C
= 0)
MMBT2222A
基地截止电流
(V
CE
= 60 VDC ,V
EB (O FF )
= 3.0伏)
MMBT2222A
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
NADC
NADC