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MMBT3906TT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906TT1图片预览
型号: MMBT3906TT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 6 页 / 378 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
THRU
MMBT3906TT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
PNP
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
特征
低功耗,高效率。
高电流能力,
简化了电路设计。
低正向压降。
高浪涌能力。
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
Guardring过电压保护。
无卤素产品的包装代号后缀"H"
超高速开关。
硅外延平面
订购信息
芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
设备
航运
MIL-STD-19500
记号
/228
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
& REEL
MMBT3906TT1
2A
3000/Tape
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
无铅全国生产
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT-523
机械数据
最大额定值
额定阻燃
环氧树脂: UL94 -V0
等级
符号
价值
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
– 40
V
CBO
V
EBO
I
C
– 40
– 5.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
集电极 - 基
方法2026
电压
发射极 - 基极电压
极性:由阴极频带指示
连续集电极电流 -
安装位置:任意
3
集热器
– 200
1
尺寸以英寸(毫米)
BASE
2
辐射源
重量: 0.011的逼近
热特性
器件总功耗FR- 4板( 1 )
P
D
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
T
A
=25 °C
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
减免上述25℃
对于容性负载,减免电流20 %
热阻结到环境
R
θJA
器件总功耗
FR- 4板( 2 ) ,T
A
= 25°C
最大的经常峰值反向电压
减免上述25℃
标识代码
评级
最大额定值和电气特性
200
1.6
600
300
13
30
2.4
21
400
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
14
15
40
50
毫瓦/°C的
28
° C / W
35
40
°C
50
特征
符号
最大
单位
 
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
P
D
V
RRM
V
RMS
R
I
O
 
I
FSM
θJA
12
20
14
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
最大
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大RMS
阻力结到环境
电压
最大直流阻断电压
结温和存储温度
 
V
DC
J
, T
英镑
20
T
30
-55到+150
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
器件标识
 
 
MMBT3906TT1
= 2A
 
R
θJA
 
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
典型结电容(注1 )
C
J
典型热阻(注2 )
工作温度范围
特征
 
单位
+150
-55
VDC
开关特性
存储温度范围
T
J
TSTG
-55到+125
符号
 
-
65
到+175
 
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
MADC ,我
B
= 0)
(I
C
= –1.0
特征
最大
集电极 - 基极击穿电压
正向电压在1.0A DC
最大
(I
平均反向
E
目前在@T A = 25 ℃
C
= –10
μAdc ,
I = 0)
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
发射极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
F
I
R
0.50
V
( BR ) CBO
0.70
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
– 40
– 40
V
( BR ) EBO
– 5.0
I
BL
I
CEX
0.5
10
0.85
VDC
0.9
0.92
 
VDC
NADC
 
注意事项:
(I
E
= –10
μAdc ,
I
C
= 0)
– 50
NADC
– 50
 
 
基地截止电流
(V
CE
= -30伏直流,V
EB
= -3.0 V直流)
2-热阻结点到环境
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -30伏直流,V
EB
= -3.0 V直流)
1, FR- 4最小焊盘。
2. FR-4 1.0× 1.0英寸的垫。
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
3.脉冲宽度<300
µs;
占空比<2.0 % 。
2012-11
2012-06
威伦
威伦电子COR
电子公司