FM120-M
THRU
MMBT4403LT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
报价
•
批量处理的设计，出色的功耗
V
CE
= -10伏直流，T
A
= 25°C
威伦
特点
小信号特性
包装外形
噪声系数
SOD-123H
SOD-123
包
无铅产品
NF ，噪声系数（dB ）
NF ，噪声系数（dB ）
带宽= 1.0赫兹
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
10
10
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
8
8
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 430Ω
•
Guardring过电压保护。
6
6
I
C
= 500
•
超高速开关。
µA,
R
S
= 560Ω
I
C
= 50
µA,
R
S
= 2.7kΩ
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
4
I = 100
µA,
R
S
= 1.6 kΩ
4
•
无铅零件符合
C
环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装
S
代号后缀
源电阻
2
2
R =优化
＆ QUOT ; G＆ QUOT ;
无卤素产品的包装代号后缀"H"
F = 1.0千赫
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
I
C
= 50
µA
100
µA
500
µA
1.0毫安
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
0
•
f,
SOD-123H
•
案例：模压塑料，
频率（kHz ）
,
图8.频率的影响
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.010.02 0.05
评级
环氧树脂： UL94 -V0
0.1 0.2
0.5
阻燃
佛罗里达火焰
1.0 2.0 5.0 10
20
50
100
0
50 100
200
500
1k
2k
5k
0.040(1.0)
10k
0.024(0.6)
20k
50k
0.031 （ 0.8 ）典型值。
R
S
，源电阻（ Ω ）
图9.源电阻的影响
0.031 （ 0.8 ）典型值。
方法2026
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
(V
CE
= -10伏直流， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
•
安装位置：任意
这组曲线图示出了用于这一系列ransistors h的铁和其他“h”的参数之间的关系。要获得这些曲线，
•
重量：的逼近
低增益单元是从MMBT4401LT1行选择，并且在同一单位被用于将相应地开发
高增益和一个
0.011克
h参数值
每个图的编号曲线。
h
ie
，输入阻抗（ kΩ的）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
700
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
500
对于容性负载，减免电流20 ％
h
fe
，电流增益
300
1000
最大额定值和电气特性
100
50
20
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
评级
10
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
标识代码
200
最大的经常峰值反向电压
最大RMS
100
电压
最大直流阻断电压
70
最大正向平均整流电流
50
MMBT4403LT1 UNIT 1
14
V
RMS
MMBT4403LT1 UNIT 2
V
RRM
V
DC
I
O
I
FSM
12
20
20
13
30
21
30
14
40
2
28
1
40
0.5
0.2
0.1
5
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
0.1
0.2 0.3
0.5
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
0.7
1.0
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
2.0
3.0
7.0 5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
安培
I
C
，集电极电流
R
θJA
（ MADC ）
典型热阻（注2 ）
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
–4
)
典型结电容（注1 ）
科幻gure
工作温度范围
存储温度范围
20
10
C
J
10.电流增益
T
J
TSTG
-55到+125
I
C
，集电极电流（ MADC ）
40
图11.输入阻抗
120
℃/W
PF
℃
℃
500
-55到+150
特征
电压在1.0A DC
MMBT4403LT1 UNIT 1
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
MMBT4403LT1 UNIT 2
h
oe
，输出导纳（
μmhos ）
-
65
到+175
最大
5.0
前锋
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
100
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
2.0
额定阻断电压DC
I
R
50
MAMP
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
1.0
0.5
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图12.电压反馈比例
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图13.输出导纳
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
