FM120-M
MMBT555xLT1
THRU
高
装载肖特基整流器-20V- 200V
FM1200-M
1.0A表面
电压晶体管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
和订购信息
器件标识
•
低功耗，高效率。
设备
记号
航运
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
MMBT5550LT1
M1F
3000/Tape&Reel
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
MMBT5551LT1
3000/Tape&Reel
金属硅交界处。
•
硅外延平面芯片，
G1
•
无铅零件符合环保标准
最大额定值
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
等级
符号
价值
无卤素产品的包装代号后缀"H"
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
机械数据
MMBT5550
140
MMBT5551
160
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
集电极 - 基极电压
V
CBO
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
160
MMBT5550
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
MMBT5551
180
SOD-123H
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
特征
我们声明该产品的材料
典型值。
0.130(3.3)
0.012(0.3)
符合RoHS要求。
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
0.071(1.8)
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.056(1.4)
0.146(3.7)
单位
VDC
0.040(1.0)
0.024(0.6)
VDC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
SOT–23
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
•
•
热特性
重量：的逼近0.011克
特征
方法2026
发射极 - 基极电压
极性：由阴极频带指示
连续集电极电流 -
安装位置：任意
V
EBO
I
C
6.0
600
VDC
MADC
尺寸以英寸（毫米）
3
集热器
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
225
mW
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
P
D
2
T
A
= 25°C
辐射源
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
减免上述25℃
1.8
毫瓦/°C的
对于容性负载，减免电流20 ％
热阻，结到环境
R
θJA
556
° C / W
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
器件总功耗
300
mW
P
D
标识代码
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
12
13
14
15
16
18
10
115
120
20
30
40
50
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
伏
V
RRM
减免上述25℃
2.4
毫瓦/°C的
60
热阻，结到环境
V
RMS
最大RMS电压
最大直流
结温和存储温度
阻断电压
最大正向平均整流电流
最大额定值和电气特性
符号
最大
单位
1
BASE
V
DC
I
FSM
R
14
θJA
T
J
, T
英镑
20
21
417
28
+150
30
-55〜
40
° C / W
35
50
°C
42
60
1.0
最大
30
40
120
56
80
70
100
105
150
140
200
伏
伏
O
电气特性
(T
A
=
I
25℃ ，除非另有说明）。
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
特征
符号
民
单位
℃/W
PF
℃
℃
安培
开关特性
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
B
= 0)
(I
C
= 1.0 MADC ，我
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
MMBT5550
TSTG
MMBT5551
典型结电容（注1 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
V
（ BR ） CEO
-55到+125
V
（ BR ） CBO
140
160
—
-
—
65
到+175
VDC
VDC
-55到+150
集电极 - 基极击穿电压
最大正向电压在1.0A DC
额定DC阻断
10
μAdc ，
I
C
= 0)
(I
E
=
电压
注意事项：
特征
(I
C
= 100
μAdc ，
I
E
= 0)
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
MMBT5550
160
—
最大平均反向
击穿
@T A = 25 ℃
发射极 - 基
电流
电压
V
F
MMBT5551
I
R
0.50
180
6.0
0.70
—
0.85
0.9
0.92
伏
@T A = 125 ℃
V
（ BR ） EBO
0.5
—
10
100
50
100
50
50
VDC
MAMP
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 100V直流，我
E
= 0)
I
CBO
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
I
EBO
—
—
—
—
—
NADC
μAdc
NADC
2-热阻结点到环境
( V
CB
= 120VDC ，我
E
= 0)
( V
CB
= 100V直流，我
E
= 0, T
A
=100 °C)
( V
CB
= 120VDC ，我
E
= 0, T
A
=100 °C)
发射Cuto FF电流
( V
BE
= 4.0Vdc ，我
C
= 0)
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
µs,
占空比= 2.0 ％ 。
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
