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MMBTA0XLT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA0XLT1图片预览
型号: MMBTA0XLT1
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内容描述: 驱动晶体管 [Driver Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管驱动
文件页数/大小: 3 页 / 325 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
THRU
MMBTA0xLT1
驱动晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
特点
空间。
优化电路板
低功耗,高效率。
我们声明该产品的材料
高电流能力,低正向电压降。
符合RoHS要求。
高浪涌能力。
可用
无铅封装
Guardring过电压保护。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
超高速开关。
无卤素产品
金属硅交界处。
硅外延平面芯片,
包装代号后缀为“H”
LEAD -FREE
最大
部分符合环保标准
评级
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
价值
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
等级
符号
MMBTA05 MMBTA06
无卤素产品的包装代号后缀"H"
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
60
80
机械数据
SOD-123H
威伦
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
单位
VDC
SOT–23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
ry
0.031 ( 0.8 )典型值。
60
80
VDC
集电极 - 基
额定阻燃
V
CBO
环氧树脂: UL94 -V0
电压
发射极 - 基极电压
4.0
VDC
案例:模压塑料, SOD- 123H
V
EBO
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
MADC
连续集电极电流 -
I
C
500
方法2026
0.031 ( 0.8 )典型值。
3
集热器
Pr
 
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
P
D
225
mW
2
25°C
T
A
=
最大额定值和电气特性
辐射源
1.8
毫瓦/°C的
减免上述25℃
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
热阻,结到环境
R
θJA
556
° C / W
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
器件总功耗
对于容性负载,减免电流20 %
P
D
300
mW
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
2.4
毫瓦/°C的
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
减免上述25℃
标识代码
热阻,结到环境
12
θJA
13
14
15
18
10
115
120
R
417
° C / W
16
20
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
结温和存储温度
T
J
, T
英镑
30
-55〜
40
+150
50
°C
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
极性:由阴极频带指示
热特性
安装位置:任意
特征
重量:的逼近0.011克
na
符号
最大
单位
20
30
40
50
60
尺寸以英寸(毫米)
1
BASE
mi
V
DC
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
最大直流阻断电压
 
最大正向平均整流电流
器件标识
80
1.0
 
30
100
150
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
O
MMBTA05LT1
= 1H,
MMBTA06LT1
= 1GM
 
安培
 
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
典型热阻
特征
(注2 )
典型结电容(注1 )
安培
符号
 
开关特性
工作温度范围
 
-55到+125
最大
40
120
 
 
-55到+150
℃/W
PF
 
-
65
到+175
VDC
存储温度范围
击穿电压( 3 )
TSTG
集电极 - 发射极
V
( BR ) CEO
60
 
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
MMBTA05
特征
最大正向电压在1.0A DC
电压
发射极 - 基极击穿
最大平均
100
μAdc ,
I
C
= 0)
(I
E
=
反向电流@T A = 25 ℃
额定阻断电压DC
当前
集电极截止
 
符号
MMBTA06
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
80
0.9
0.92
V
F
0.50
0.70
V
( BR ) EBO
4.0
VDC
0.85
@T A = 125 ℃
I
R
0.5
 
I
CES
I
CBO
0.1
10
μAdc
μAdc
MAMP
注意事项:
( V
CE
= 60Vdc的,我
B
= 0)
发射Cuto FF电流
( V
CB
= 60Vdc的,我
E
= 0)
MMBTA05
0.1
0.1
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
2-热阻结点到环境
( V
CB
= 80VDC ,我
E
= 0)
MMBTA06
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
µs,
占空比< 2.0 % 。
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。