FM120-M
THRU
MMBTA5xLT1
驱动晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
PNP硅
•
低功耗，高效率。
我们申报的材料
电压降。
•
高电流能力，低正向
产品
•
高浪涌能力。
RoHS要求。
符合
•
Guardring过电压
可用的
无铅封装
保护。
•
超高速开关。
代号后缀“G”
符合RoHS的产品包装
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无卤素产品的包装代号后缀
•
无铅零件符合环保标准
“H”
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
最大额定值
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
无卤素产品的包装代号后缀"H"
价值
等级
符号
MMBTA55 MMBTA56
机械数据
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
–60
–80
单位
VDC
INA
符号
最大
单位
•
•
安装位置：任意
热特性
•
重量：的逼近0.011克
特征
方法2026
连续集电极电流 -
I
C
极性：由阴极频带指示
–500
MADC
ry
1
BASE
•
集电极 - 基极电压
V
–60
–80
VDC
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
CBO
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
VDC
–4.0
发射极 - 基极电压
V
EBO
SOT–23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
3
集热器
典型值。
0.031(0.8)
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
总
最大额定值，电器
设备损耗FR- 5局， （ 1 ）
P
D
特征
225
mW
Pr
el
I
O
T
A
=
环境温度，除非另有规定。
在25 ℃评分
25°C
减免上述25℃
1.8
毫瓦/°C的
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
热
减免电流20 ％
R
θJA
556
° C / W
对于容性负载，
电阻，结到环境
器件总功耗
P
D
300
mW
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
减免上述25℃
2.4
毫瓦/°C的
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
伏
V
RRM
热阻，结到环境
R
θJA
417
° C / W
伏
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
结温和存储温度
T
J
, T
英镑
-55到+150
°C
伏
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
im
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件标识
I
MMBTA55LT1
= 2H ;
MMBTA56
LT1 = 2GM
FSM
C
J
T
J
1.0
30
40
120
最大
AMP
单位
-55到+150
AMP
电气特性
(T
A
=
θJA
除非另有说明）。
典型热阻（注2 ）
R
25°C
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
特征
符号
-55到+125
民
℃/W
PF
℃
℃
存储
开关特性
温度范围
TSTG
-
65
到+175
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0 )
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
（ BR ） CEO
VDC
V
F
@T A = 125 ℃
MMBTA55
MMBTA56
0.50
–60
0.70
–80
–4.0
—
发射极 - 基极击穿电压
I
R
—
—
0.5
0.85
0.9
0.92
伏
(I
E
= –100
μAdc ，
I
C
= 0 )
注意事项：
收藏家Cuto FF电流
1 ，在测
V
CE
= -60Vdc ，我
B
反向的4.0 VDC电压。
(
1 MHz和应用
= 0)
2-热阻结点到环境
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -60Vdc ，我
E
= 0)
( V
CB
= -80Vdc ，我
E
= 0)
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） EBO
10
—
MAMP
VDC
μAdc
μAdc
I
首席执行官
I
CBO
–0.1
—
—
–0.1
–0.1
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度<300
µs,
占空比<2.0 ％ 。
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
