FM120-M
THRU
MMBTA94LT1
PNP外延平面
势垒整流器-20V- 200V
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基
晶体管
SOD-123
•
批量
该产品的材料
我们声明
工艺设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
符合
表面贴装为了申请
•
低调
RoHS要求。
优化电路板空间。
无铅封装可用
•
产品包装代号后缀“G”
RoHS指令
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
描述
•
超高速开关。
该
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
MMBTA94LT1是专为应用程序
•
LEAD -FREE
高电压。
需要
部分符合环保标准
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.056(1.4)
SOT- 23
0.071(1.8)
•
高击穿电压： VCEO = 400 （分钟） ，在IC = 1毫安
机械数据
•
补充MMBTA94LT1
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
器件标识
塑料， SOD- 123H
•
案例：模压
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
MMBTA94LT1
= 4Z
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
包装代号后缀
•
RoHS指令
特点
产品Product包装code"G" "H"
无卤
苏FFI X
集热器
3
0.040(1.0)
0.024(0.6)
1
BASE
0.031 （ 0.8 ）典型值。
2
辐射源
尺寸以英寸（毫米）
•
最高温度
•
安装位置：任意
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
•
重量：的逼近0.011克
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大
最大额定值和电气特性
功耗
在收视率
功耗（ TA = 25 ℃） ......................................... ....................................... 350毫瓦
总
25 ℃环境温度，除非另有规定。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
容性负载，减免电流20 ％
为
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... -400 V
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -400 V
标识代码
发射器基极电压.............................................. ............................................... -6 V
115
12
13
14
15
16
18
10
120
VEBO
20
30
40
50
60
80
100
200
最大的经常峰值反向电压
伏
V
RRM
IC集电极电流...................................................................................................... -150毫安
150
伏
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
特征
（ TA = 25℃ ）
°
伏
最大直流阻断电压
绝对最大
阴极带
评级
•
极性：用表示
V
DC
20
30
40
50
60
80
100
150
200
I
O
1.0
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
测试条件
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
-
正弦波
BVCBO
-400
-
V
IC = -100uA ， IE = 0
30
I
FSM
叠加在额定负荷
-400
法）
-
（ JEDEC
BVCEO
-
V
IC = -1mA ， IB = 0
40
典型热阻
-6
（注2 ）
R
θJA
BVEBO
-
-
V
IE = -10uA ， IC = 0
典型结电容（注1 ）
C
J
ICBO
-
-
-100
nA
VCB = -400V ， IE = 0
120
-55到+125
-55到+150
工作温度范围
T
J
IEBO
-
-
-100
nA
VEB = -6V ， IC = 0
-
65
到+175
存储温度范围
TSTG
冰
-
-
-500
nA
VCE = -400V ， VBE = 0
*VCE(sat)1
特征
-
-
-200
mV
IC = -1mA ， IB = -0.1mA
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
*VCE(sat)2
-
-
-300
mV
IC = -10mA ， IB = -1mA
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
*VCE(sat)3
反向电流@T
-
-
-600
mV
IC = -50mA ， IB = -5mA
0.5
最大平均
A=25℃
I
R
* VBE （SAT）
-900
mV
IC = -10mA ， IB = -1mA
10
@T
-
A=125℃
额定阻断电压DC
-
*hFE1
50
-
-
VCE = -10V ， IC = -1mA
注意事项：
*hFE2
75
-
200
VCE = -10V ， IC = -10mA
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
*hFE3
60
-
-
VCE = -10V ， IC = -50mA
2-热阻结点到环境
*hFE4
20
-
-
VCE = -10V ， IC = -100mA
COB
-
4
6
pF
VCE = -10V ， F = 1MHz的
最大正向平均整流电流
安培
安培
℃/W
PF
℃
℃
单位
伏
毫安
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
2012-11
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
