FM120-M
THRU
MMBTH10LT1
甚高频/超高频晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
RoHS要求。
我们声明该产品的材料
符合
•
低调
包
安装才能申请
无铅
表面
可用
优化电路板空间。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
低功耗，高效率。
无卤素产品
正向电压降。
•
高电流能力，低
包装代号后缀为“H”
•
高浪涌能力。
订购信息
•
Guardring过电压保护。
设备
记号
航运
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
3000/Tape&Reel
MMBTH10LT1
3EM
•
无铅零件符合环保标准
最大额定值
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
等级
符号
价值
单位
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
25
VDC
VDC
VDC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
环氧树脂： UL94 -V0
电压
集电极 - 基
额定阻燃
V
CBO
30
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
V
发射极 - 基极电压
3.0
EBO
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
热
方法2026
特征
SOT–23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
特征
•
安装位置：任意
FR- 5局， （ 1 ）
器件总功耗
•
重量
25°C
T
A
=
：的逼近0.011克
减免上述25℃
符号
P
D
最大
225
1.8
单位
mW
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
1
BASE
毫瓦/°C的
最大额定值
环境
热阻，结到
和电气特性
R
θJA
556
° C / W
在25 ℃的环境评级
耗散
除非另有规定ED 。
温度
设备总
300
mW
P
D
单相半波， 60赫兹，电阻
25°C
氧化铝基板， （2）T
A
=
感性负载。
2.4
毫瓦/°C的
对于容性负载，
25℃以上
减额
减免电流20 ％
热阻，结到环境
R
θJA
417
° C / W
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
T
J
标识代码
结温和存储温度
12
, T
英镑
13
-55到+150
15
°C
14
16
18
10
115
120
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
伏
V
RRM
最大
器件标识
RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RMS
V
DC
14
20
21
30
28
40
35
50
42
60
1.0
30
最大
40
120
—
56
80
70
100
105
150
140
200
伏
I
O
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
特征
符号
民
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型的热
特征
关闭
电阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
MMBTH10LT1=
3EM
伏
安培
单位
典型值
安培
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
集电极 - 发射极击穿电压
-55
V
（ BR ） CEO
+125
25
VDC
-55到+150
VDC
0.85
VDC
0.9
0.92
℃/W
PF
℃
℃
(I
C
= 1.0 MADC ，I = 0）
存储温度范围
B
—
发射极 - 基极击穿
最大正向电压在1.0A DC
电压
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc
, I
E
= 0)
特征
V
（ BR ） CBO
V
F
I
R
30
0.50
3.0
-
65
到+175
—
—
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
(I
E
=
反向电流
最大平均
10
μAdc
, I
C
= 0)
在@T A = 25 ℃
集电极截止
额定阻断电压DC
当前
@T A = 125 ℃
( V
CB
= 25VDC ，我
E
= 0 )
CB
E
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CBO
I
EBO
—
0.70
—
—
—
0.5
10
100
伏
—
—
NADC
uAdc
MAMP
注意事项：
收藏家Cuto FF电流
1 ，在测
(
1兆赫和应用4.0伏的反向电压。
V = 30V直流，I = 0）
100
2-热阻结点到环境
发射Cuto FF电流
( V
EB
= 2.0Vdc ，我
C
= 0 )
—
—
100
NADC
发射Cuto FF电流
(V
= 3.0VDC ，I = 0）
I
EBO
—
—
10
uAdc
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-11
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
