低电容四阵列的ESD保护
威伦
FM120-M
MSEMF3V3LCC
THRU
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
一般
型材表面安装，以便应用程序
特点
•
低
描述
优化电路板
瞬态电压抑制器
这种集成
空间。
•
低功耗，高效率。
设备
高电流能力，低正向电压降。
•
（ TVS）是专为需要的应用
•
高浪涌能力。
瞬态过电压保护，打印机，业务
•
Guardring过电压
系统，医疗
机，通信
保护。
•
超高速开关。
设备，和其它应用。
硅结。
•
硅外延平面芯片，金属
其综合
•
提供
见面
有效
标准
设计
无铅零件
很
环境的
可靠
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
保护
产品包装
线
后缀"G"
只有一个
•
RoHS指令
单独
CODE
运用
无卤
器件理想
后缀"H"
封装。这些
产品包装代码
对于情况
更好的反向漏电流和耐热性。
四个单独的单向配置的
保护
功耗： 380MW
小型SOT- 563表面贴装封装
低电容
符合USB 1.1的低速&速度
特定网络阳离子
这些无铅器件
无铅封装可用
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
低漏电流< 1
μA
@ 3VOLTS
0.071(1.8)
0.056(1.4)
电路板空间非常珍贵。
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
应用
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
串行和并行
2026
法
端口
基于微处理器设备
•
极性：由阴极频带指示
笔记本电脑，台式机，服务器
•
安装位置：任意
•
重量的逼近0.011克
CELLULAR
:
和便携式设备
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
机械数据
符合下列标准
尺寸以英寸（毫米）
15千伏（空气放电）
IEC61000-4-2
4级
8千伏（接触放电）
最大额定值和电气特性
MIL STD 883E - 方法3015-7 3级
25千伏HBM （人体模型）
工作原理图
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
典型结电容（注1 ）
存储温度范围
最大额定值
SOT-563
-55到+125
40
120
-55到+150
℃
-
65
到+175
(T
A
=25°C)
符号
P
正向电压在1.0A DC
峰值功率耗散（ 8 × 20μs的@ T
A
=25℃)
最大
PK
V
F
额定阻断电压DC
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
参数
I
R
价值
25
380
327
3.05
150
单位
W
mW
℃/W
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
最大
D
P
在平均反向电流
功率二极管1
稳定状态
@T A = 25 ℃
@T A = 125 ℃
m
注意事项：
R
θ
JA
热阻，结到环境
在25℃以上，
减额
最高结温
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
毫瓦/ °
℃
℃
℃
2-热阻结点到环境
T
JMAX
T
L
T
J
T
英镑
工作结存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
-55到+150
260
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
