威伦
低电容四阵列的ESD保护
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
MSEMFxxLC
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
一般
型材表面安装，以便应用程序
特点
•
低
描述
优化电路板
瞬态电压抑制器
这种集成
空间。
•
低功耗，高效率。
器（ TVS）是专为需要的应用
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
瞬态过电压保护，打印机，业务
•
Guardring过电压保护。
机，通信系统，医疗
•
超高速开关。
设备，和其它应用。
硅结。
•
硅外延平面芯片，金属
其综合
•
无铅零件符合
有效
标准
设计提供了非常
环境的
可靠
更好的反向漏电流和耐热性。
四个单独的单向配置的
保护
功耗： 380MW
小型SOT- 553表面贴装封装
低电容
符合USB 1.1的低速&速度
特定网络阳离子
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
低漏电流< 1
μA
@ 3VOLTS
0.071(1.8)
0.056(1.4)
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
保护
产品包装
线
后缀"G"
只有一个
RoHS指令
单独
CODE
运用
•
无卤
器件理想
后缀"H"
封装。这些
产品包装代码
对于情况
0.040(1.0)
无铅封装可用
电路板空间非常珍贵。
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
应用
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
串行和并行
2026
法
端口
符合下列标准
机械数据
基于微处理器设备
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
服务器
笔记本电脑，台式机，
•
重量：
和便携式
0.011克
CELLULAR
近似
设备
IEC61000-4-2
4级
尺寸以英寸（毫米）
15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
最大额定值，电器
MIL STD 883E - 方法3015-7 3级
特征
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
25千伏HBM （人体模型）
工作原理图
评级
标识代码
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
V
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
A
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
典型结电容（注1 ）
存储温度范围
最大额定值
SOT-553
-55到+125
40
120
-55到+150
℃
-
65
到+175
(T
A
=25°C)
符号
特征
P
正向电压在1.0A DC
Dissipation(8×20μs@T
A
=25℃)
峰值功率
最大
PK
V
F
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
参数
I
R
价值
25
380
327
3.05
150
单位
W
mW
℃/W
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
V
在最大平均反向电流
功率二极管1
P
稳定状态
@T A = 25 ℃
D
R
θ
JA
注意事项：
T
热阻，结到环境
在25℃以上，
减额
最高结温
@T A = 125 ℃
m
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
毫瓦/ °
℃
℃
℃
JMAX
2-热阻结点到环境
T
J
T
英镑
T
L
工作结存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
-55到+150
260
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
