SOT-89
表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
塑料封装晶体管
1.0A
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
FM120-M
PXT2222A
THRU
FM1200-M
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
SOT-89
晶体管（ NPN ）
表面贴装为了申请
•
低调
优化电路板空间。
特点
低功耗，高效率。
•
外延
高电流能力，低正向电压降。
•
平面模具结构
•
无铅
高浪涌能力。
包可
•
Guardring过电压保护。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
超高速开关。
•
免费
外延
包装代号后缀为“H”
卤素
硅
产品
平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
最大
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
收视率（T
包装代号后缀"G"
•
符合RoHS的产品
a
=25
℃
除非另有
无卤素产品的包装代号后缀"H"
更好的反向漏电流和耐热性。
1.
BASE
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
2.
集热器
0.071(1.8)
0.056(1.4)
3.
辐射源
说明）
单位
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
参数
机械数据
价值
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
75
集电极 - 基极电压
V
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
集电极 - 发射极电压
40
V
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
发射极 - 基极电压
6
V
方法2026
集热器
:
电流 - 连续
600
mA
•
极性指示由阴极频带
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
集电极耗散功率
•
安装位置：任意
连接点
:
温度
0.011克
•
重量的逼近
0.5
150
W
℃
储存温度
-55
~150
℃
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
电气特性（T
a
电感
除非另有规定编）
单相半波，60赫兹，电阻式
=25℃
负载。
集电极 - 基极击穿电压
评级
标识代码
集电极 - 发射极击穿电压
参数
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
测试条件
民
15
50
35
50
最大
18
80
56
10
100
70
单位
V
V
μA
115
150
105
120
200
140
200
I
C
= 10μ
FM130-MH
75
V
（ BR ） CBO
符号
FM120-M
H
A，I
E
=0
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
V
RRM
V
RMS
12
I
C
= 10毫安，
13
=0
I
B
20
14
30
21
14
40
28
40
V
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止
阻断电压
最大直流
当前
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
40
16
6
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
=60V,
30
E
=0
I
20
V
EB
= 5V ，我
C
=0
60
42
60
1.0
30
40
120
I
CBO
DC
V
I
EBO
I
O
h
FE(2)
I
FSM
0. 01
80
0. 01
100
μA
150
发射极截止电流
最大正向平均整流电流
h
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
FE(1)
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
35
50
75
100
40
直流电流
结电容（注1 ）
典型
收益
工作温度范围
存储温度范围
典型热阻（注2 ）
R
θJA
h
FE(3)
h
FE(4)
J
T
h
FE(6)
C
J
300
-55到+150
V
CE
= 10V ，我
+125
-55
C
= 150毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 150毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
I
C
= 500毫安，我
B
=
0.50
50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
V
CE
= 10V ，我
C
=20mA
f=100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
V
BE （OFF）的
=0.5V,I
B1
=15mA
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
=- I
B2
= 15毫安
h
FE(5)
TSTG
50
-
65
到+175
特征
集电极 - 发射极饱和电压
额定阻断电压DC
基射极饱和电压
最大正向电压在1.0A DC
V
CE （ SAT ）
V
F
I
R
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
0.70
0.5
10
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
CE （ SAT ）
@T A = 125 ℃
1
0.85
0.3
2.0
1.2
V
0.9
V
V
V
0.92
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
d
t
r
t
S
t
f
注意事项：
0.6
300
跃迁频率
从结点到环境
2-热阻
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
兆赫
8
10
25
225
pF
ns
ns
ns
2012-06
60
ns
威伦电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
