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SCS520CS-30T5G 参数 Datasheet PDF下载

SCS520CS-30T5G图片预览
型号: SCS520CS-30T5G
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内容描述: 百毫安表面贴装肖特基整流器 - 30V [100mA Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers - 30V]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 361 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SCS520CS-30T5G
100mA
表面贴装肖特基整流器 -
30V
-20V- 200V
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD- 923封装
SOD-123
无铅产品
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
应用
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
低电流整流
Guardring过电压保护。
特点
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属
型。 ( SOD- 923 )
Extremelysmall表面贴装
硅结。
无铅零件符合环保标准
我低
R.
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
高可靠性。
包装代号后缀"G"
符合RoHS的产品
无卤产品
材料
代号后缀"H"
我们宣布
包装
产品
SOD-123H
威伦
FM120-M
THRU
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
1
0.056(1.4)
0.071(1.8)
2
机械数据
符合RoHS要求。
无铅封装可用
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
案例:模压塑料, SOD- 123H
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
极性:由阴极频带指示
硅外延平面
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
设备
记号
SOD-923
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
施工
方法2026
1
阴极
尺寸以英寸(毫米)
2
阳极
设备标志和订购天道酬勤ormation
航运
 
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
参数
符号
范围
单位
对于容性负载,减免电流20 %
采用直流反接电压
V
R
30
V
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
评级
意思是整流电流
I
O
100
mA
标识代码
12
13
mA
14
15
16
18
10
115
120
峰值正向浪涌电流
I
FSM
500
20
30
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
结温
T
j
125
°C
40
储存温度
T
RMS
-40~+125
21
°C
28
14
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
S T摹
最大直流阻断电压
最大额定值和电气特性
520CS-30T5G
E
8000/Tape&Reel
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
最大额定值
(T = 25
°
C)
A
电气特性
(
T
最大正向平均整流电流
A
= 25
°C
)
 
V
DC
20
30
40
50
60
80
100
150
200
I
O
参数
符号
 
分钟。
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
正向电压
V
F
I
FSM
-
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
典型值
-
-
-
马克斯。
0.45
单位
V
V
µA
1.0
条件
 
I
F
=10mA
30
 
 
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
正向电压
V
F
I
R
反向电流
R
θJA
C
J
T
J
O
-
-
 
0.50
0.5
 
电气特性曲线
( TA = 25℃ )
存储温度范围
TSTG
-55到+125
I
F
=20mA
40
V
R
=10V
120
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
最大
0.3
在@T A = 25 ℃平均反向电流
额定阻断电压DC
0A
平均整流
正向电流IO( A)
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T
Io
A=125℃
0.50
0.3
平均整流
正向电流IO( A)
0A
0V
0.2
DC
D=1/2
0.1
Sin(θ=180)
0
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=150℃
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
I
R
 
VR
D = T / T
0.2
VR=15V
DC
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
牛逼TJ = 150 ℃
0V
注意事项:
t
 
 
2-热阻结点到环境
D=1/2
0.1
Sin(θ=180)
0
0
25
50
75
100
125
环境温度: TA( ℃ )
降额曲线゙( IO- Ta)的
150
0
25
50
75
100
125
150
北部沿海地区案例:TC ( ℃ )
降额曲线(IO -TC)
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-11
威伦电子股份有限公司。