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SCS751CS-40T5G 参数 Datasheet PDF下载

SCS751CS-40T5G图片预览
型号: SCS751CS-40T5G
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内容描述: 30毫安表面贴装肖特基整流器 - 40V [30mA Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers - 40V]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 358 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SCS751CS-40T5G
30mA
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
表面贴装肖特基整流器 - 40V
FM1200-M
SOD-923
SOD- 123封装
无铅全国生产
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
威伦
FM120-M
THRU
特点
包装外形
SOD-123H
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
特点
过电压保护。
Guardring
超高速开关。
Extremelysmall表面安装型。 ( SOD- 923 )
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
V
F
无铅零件符合环保标准
高可靠性。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
我们声明该产品的材料
无卤素产品的包装代号后缀
符合RoHS要求。
& QUOT ; H & QUOT ;
低功耗,高效率。
低电流整流
应用
空间。
优化电路板
低调的表面安装,以便应用程序
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
1
0.056(1.4)
0.071(1.8)
2
机械数据
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
施工
SOD-923
0.040(1.0)
0.024(0.6)
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
案例:模压塑料, SOD- 123H
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
,
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
硅外延平面
极性:由阴极频带指示
设备标记和订购信息
设备
记号
航运
1
阴极
尺寸以英寸(毫米)
2
阳极
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
最大
SCS751CS-40T5G
额定值和电气特性
5
8000/Tape&Reel
 
范围
单位
V
RM
反向电压(重复峰值)
40
V
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH
评级
V
R
反向电压(DC)的
30
V
标识代码
12
13
14
15
16
平均正向电流整流
30
Io
mA
20
30
40
50
60
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
I
FSM
正向电流浪涌峰值
(60Hz・1cyc)
200
mA
14
21
28
35
42
最大RMS电压
V
RMS
结温
125
Tj
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
V
DC
储存温度
-40到+125
TSTG
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
参数
符号
对于容性负载,减免电流20 %
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
 
电气特性
(Ta=25°C)
参数
I
O
 
符号
I
FSM
分钟。
典型值。
正向电压
反向电流
典型结电容(注1 )
终端之间的电容
工作温度范围
典型热阻(注2 )
存储温度范围
V
F
I
R
Ct
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-
-
-
马克斯。
 
0.37
 
0.5
单位
V
µA
pF
1.0
 
30
条件
 
-55
2
+125
-
I
F
=1mA
 
40
V
R
=30V
 
120
V
 
R
= 1V , F = 1MHz的
+150
-55
-
65
到+175
 
电气特性曲线
(Ta=25
O
C)
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
特征
符号
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
0.1
额定阻断电压DC
0.003
V
F
@T A = 125 ℃
平均RECTIFIDE
正向电流IO( A)
0.08
0.50
0.1
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=125℃
Io
0.70
0.5
0A
0V
0.85
10
t
T
0.9
0.92
 
I
R
平均整流
正向电流IO( A)
0A
0V
t
T
Io
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=125℃
 
REVERSE POW ER
耗散:P
R
(W)
注意事项:
0.08
0.06
0.04
0.02
Sin(θ=180)
0
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
0.06
D=1/2
2-热阻结点到环境
0.001
DC
Sin(θ=180)
DC
0.04
0.002
DC
D=1/2
 
 
D=1/2
0.02
Sin(θ=180)
0
0
10
20
30
40
反向电压VR ( V)
VR -P
R
特征
0
0
25
50
75
100
125
环境温度: TA( ℃ )
降额曲线゙( IO- Ta)的
0
25
50
75
100
北部沿海地区案例:TC ( ℃ )
降额曲线(IO -TC)
125
2012-06
威伦电子COR
2012-11
威伦电子股份有限公司。