欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SE2302 参数 Datasheet PDF下载

SE2302图片预览
型号: SE2302
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: SOT- 23塑封装的MOSFET [SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 388 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号SE2302的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SE2302的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SE2302的Datasheet PDF文件第4页  
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
N通道20 -V (D -S )的MOSFET
Guardring过电压保护。
超高速开关。
特征
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件
功率MOSFET
标准
TrenchFET
符合环保
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
SE2302
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.门
2.源
3.排水
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械
应用
数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
负载开关,用于便携式设备
案例:模压塑料, SOD- 123H
DC / DC转换器
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 ( 0.8 )典型值。
无铅封装可用
方法2026
符合RoHS的产品包装
极性:由阴极频带指示
代号后缀“G”
包装代号后缀为“H”
尺寸以英寸(毫米)
安装位置:任意
无卤素产品
重量:的逼近0.011克
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大额定值和电气特性
标记: S2
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
VOL
VOL
VOL
Am
 
a
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
 
最大额定值(T = 25℃除非另有说明)
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
单位
V
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
Am
参数
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
 
符号
V
to
-55
DS
+125
V
GS
I
D
I
S
漏源电压
 
价值
40
 
20
120
 
-55到+150
℃/W
PF
栅极 - 源
范围
储存温度
电压
-
±8
到+175
65
 
连续漏电流
特征
最大正向电压在1.0A DC
连续源极 - 漏极电流(二极管传导)
V
F
A
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
0.50
0.70
2.1
0.6
0.85
功耗
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
热阻
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
从结点到环境
(t≤5s)
 
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
0.35
0.5
357
10
150
-55 ~+150
W
0.9
0.92
 
VOL
℃/W
MAM
注意事项:
工作结
1测得1
温度
反向的4.0 VDC电压。
存储
MHz和应用
 
 
2-热阻结点到环境
2012-10
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。