威伦
30V P沟道增强型MOSFET
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
FM120-M
THRU
SE9435LT1
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
DS
•
低功耗，高效率。
R
DS （ ON）
, V
gs
@-10V,
ds
@-5.3A =
70mΩ
•
高电流能力，低
I
正向电压降。
•
高浪涌能力。
R
DS （ ON）
，V @ -4.5V ，我
ds
@-4.2A =
100mΩ
过电压保护。
•
Guardring为
gs
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
特点
优化电路板空间。
V = -30V
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
机械数据
FOM
改进贯通
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
先进的加工技术
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品包装代码
低导通电阻
高密度单元，极小
后缀"H"
SOT-23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料，
可用
无铅封装
SOD-123H
,
•
端子：镀
包装代号后缀“G”
符合RoHS的产品
终端，每MIL -STD- 750
方法2026
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
3
D
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
▼
简单的驱动器
0.011克
•
重量：的逼近
需求
在收视率
▼
表面
温度，除非另有规定。
25 ℃的环境
贴装器件
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
尺寸以英寸（毫米）
G
1
2
S
▼
封装尺寸小
电气特性
最大额定值和
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
订购信息
最大RMS电压
设备
最大直流阻断电压
V
RRM
V
RMS
12
20
14
13
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
记号
V
DC
I
O
I
FSM
20
航运
30
3000/Tape&Reel
SE9435LT1
最大正向平均整流电流
P94
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
℃/W
PF
℃
℃
单位
伏
毫安
40
R
θJA
最大额定值和热
C
J
特征
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
120
典型结电容（注1 ）
-55到+125
-55到+150
工作温度范围
T
J
符号
参数
极限
典型热阻（注2 ）
存储温度范围
V
V
GS
特征
± 20
栅极 - 源
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
电压
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
DS
漏源电压
V
F
I
R
0.50
0.70
TSTG
-
65
到+175
单位
-30
0.85
0.9
0.92
I
D
连续漏电流
漏电流脉冲
@T A = 125 ℃
1)
0.5
10
o
TA = 25℃
o
TA = 75℃
-5.3
-20
1.4
I
DM
额定阻断电压DC
A
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
P
D
最大功率耗散
W
0.8
-55到150
50
2)
o
o
2-热阻结点到环境
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJA
工作结存储温度范围
C
结到外壳热阻
结至环境热阻（PCB安装）
2. 1中
2
2盎司铜PCB板
90
C / W
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
3.由设计保证;不受生产测试
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
