威伦
超慢电容TVS阵列
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
超低
设计，出色的功耗报价
•
批量处理
电容瞬态电压
更好
抑制器
反向漏电流和耐热性。
被设计为低电压时，集成
•
低调的表面安装，以便应用程序
电路
优化电路板空间。
因静电
从瞬变
•
低
（ ESD ） ，电快速
放电
功率损耗，效率高。
瞬变（ EFT ） ，
•
高电流能力，低正向电压降。
浪涌
•
和其他的感应电压。
高浪涌能力。
•
Guardring
应用
过电压保护。
•
超高速开关。
ETHERNET
外延平面芯片，金属硅交界处。
•
硅
- 10/100/1000碱基T
手机
符合环保标准
•
无铅零件
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
手持设备 - 无线系统
＆ QUOT ; G＆ QUOT ;
•
符合RoHS的产品包装代号后缀
无卤素产品包装代码
个人数字助理（PDA ）
后缀"H"
FM120-M
SEBLCxx / C
THRU
FM1200-M
特点
包装外形
每线350瓦峰值脉冲功率（ TP = 8 /20μS ）
SOD-123H
单向&双向配置
无铅产品
概述
特点
替代MLV （ 0805 ）
保护一个电源或I / O端口
0.130(3.3)
ESD保护> 40千伏
低钳位电压
3V至8 V
超低电容： 3pF的典型
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
0.040(1.0)
0.024(0.6)
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
湿度敏感度等级1
尺寸以英寸（毫米）
0.056(1.4)
提供多种电压类型的测距
0.071(1.8)
0.146(3.7)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
机械数据
USB接口
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
IEC61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） ，具有8kV（接触）
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
IEC61000-4-4 （ EFT ） 40A （ 5 / 50ns的）
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
IEC61000-4-5(Surge)24A(8/20us),Level2(Line-G
方法2026
圆） &等级
:
2 （线 - 线）
•
极性指示由阴极频带
•
安装位置：任意
SOD-323
•
重量：的逼近0.011克
单向
双向
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
绝对最大
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
I
O
12
20
14
13
30
21
14
40
28
15
50
35
16
60
42
1.0
价值
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
20
30
40
50
60
V
DC
额定值@ 25 ° C除非另有说明
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3
= 8 / 20μS ） - 见Fig1 。
峰值脉冲功率（ TP
毫秒单一正弦半波
I
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
参数
符号
P
PP
T
英镑
T
J
单位
W
°C
°C
350
30
-55到150
40
120
-55到150
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
典型结电容（注1 ）
工作结温
存储温度范围
电气特性每行
T
J
25 ° C除非另有说明
@
-
65
到+175
TSTG
范围
C
J
-55到+125
-55到+150
产品编号
特征
最大正向电压在1.0A DC
V
BR
V
F
@T A = 125 ℃
V
F
马克斯。
R
I
V
4.5
4.5
7.2
7.2
10.2
15.7
I
T
0.50
V
RM
C
0.85
I
F
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
在最大平均反向电流
典型值。
@T A = 25 ℃
分钟。
额定阻断电压DC
I
RM
0.70
0.5
马克斯。
10
典型值。
0.9
0v
BIAS
pF
3
3
3
3
3
3
0.92
注意事项：
V
3.3
3.3
6.1
8.6
13.5
V
3.8
3.8
6.7
9.5
14.6
mA
1
1
1
1
1
1
V
3
3
5
5
8
12
µA
1
1
1
1
1
1
V
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
mA
200
200
200
200
200
200
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
SEBLC03C
SEBLC05
SEBLC05C
SEBLC08C
SEBLC12C
2-热阻结点到环境
SEBLC03
6.1
6.7
2013-05
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
