威伦
瞬态电压抑制器ESD保护
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
SESD9D5C
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
一般
型材表面安装，以便应用程序
•
低
描述
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
低矮的车身高度
低漏电流
SOD-123H
优化电路板空间。
该
SESD9D5C
旨在保护电压
•
低功耗，高效率。
从静电敏感元件和
电压降。
•
高电流能力，低正向
瞬态电压
•
高浪涌能力。
事件。出色的钳位能力，低泄漏，并
•
Guardring过电压保护。
快速响应时间，使这些器件非常适合ESD
•
超高速开关。
关于保护设计中
金属硅交界处。
在
•
硅外延平面芯片，
电路板空间
•
无铅零件符合
体积小，它适合于
溢价。由于其
环保标准
利用
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
在蜂窝电话， MP3播放器，数码相机和
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
许多
无卤素产品的包装代号后缀"H"
空间
其它便携式应用中板
小机身外形尺寸
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
峰值功率高达150瓦@ 8 ×20
μs
脉冲
响应时间通常< 1纳秒
0.071(1.8)
0.056(1.4)
溢价。
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
应用
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
手机
2026
法
手提
:
器件
由阴极频带
•
极性指示
•
安装位置
数码相机
：任何
•
重量：的逼近0.011克
电源
机械数据
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.040(1.0)
0.024(0.6)
符合下列标准
典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031(0.8)
IEC61000-4-2
4级
15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
尺寸以英寸（毫米）
MIL STD 883E - 方法3015-7 3级
25千伏HBM （人体模型）
最大额定值和电气特性
工作原理图
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
V
SOD-923
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
价值
-55〜
150
+150
典型热阻（注2 ）
绝对额定值（T
AMB
=25°C )
符号
典型结电容（注1 ）
参数
-55到+125
40
120
单位
℃
P
PP
峰值脉冲
工作温度范围
存储温度范围
功率（T
p
= 8/20μs)
T
J
-
65
到+175
W
°C
0.9
°C
0.92
T
L
TSTG
在10秒的最大无铅焊接温度的
260
T
英镑
op
储存温度
特征
范围
-55〜 155
°C
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
范围
0.50
0.70
0.5
10
U
最大正向电压在1.0A
温度
T
操作
DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
-40
0.85
+125
to
150
±15
±8
40
25
400
T
j
I
R
最高结温
@T A = 125 ℃
°C
kV
A
kV
V
m
注意事项：
IEC61000-4-2 （ ESD ）
IEC61000-4-4 （ EFT ）
ESD电压
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
空气放电
接触放电
每个人体模型
每台机器型号
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
