1.0A
低VF
肖特基二极管-20V- 40V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD- 323 - L封装
SOD-123
包
威伦
FM120-M
THRU
SL12-N
FM1200-M
SL14-N
无铅产品
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
包装外形
SOD-123H
特点
电路板空间。
OPTIMIZE
•
低调的表面安装，以便应用程序
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOD-323-L
0.012 （ 0.3 ）典型值。
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
•
低功耗，高效率。
更好的反向漏电流和耐热性。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
低
高浪涌能力。
为了申请
•
型材表面安装
优化电路板空间。
•
Guardring过电压保护。
•
低功耗，高效率。
•
超高速开关。
•
高电流能力，非常低的正向电压降。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
高浪涌能力。
•
无铅零件符合环保标准
•
Guardring过电压保护。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
非常小的塑料SMD封装。
后缀"G"
符合RoHS的产品包装代码
•
•
超高速开关。
无卤素产品的包装代号后缀"H"
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
机械数据
•
湿度敏感度等级1
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
极性：由阴极频带指示
•
案例：模压塑料， SOD- 323 -L
•
安装位置：任意
•
端子：镀金端子，焊每MIL -STD- 750 ，
•
重量：的逼近0.011克
方法2026
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.057 (1.45)
0.041 (1.05)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.047 (1.2)
0.031 (0.8)
方法2026
0.016 （ 0.4 ）典型值。
0.016(0.4)
尺寸以英寸（毫米）
典型值。
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
和电气特性
最大额定值
•
MOUNTING
环境
任何
在25 ℃评分
您的位置：
温度，除非另有规定。
单相
:
半波，60赫兹，
0.008克
感性负载。
•
重量的逼近
的电阻
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
o
12
13
14
额定值和电气特性
（在
15
=25 C
16
T
除非
V
RRM
20
30
条件
14
21
40
50
A
28
35
V
RMS
见图2
最大直流阻断电压
20
30
40
50
V
DC
前锋
正向整流电流
8.3ms单半正弦波叠加
最大平均
浪涌电流
I
O
率负荷（ JEDEC梭）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
V
R
= V
RRM
T
J
= 25
O
C
反向电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
参数
正向整流电流
60
符号
42
I
O
60
18
120
否则
10
说明）
115
80
100
150
200
典型值。马克斯。单位
分钟。
56
70
105
140
1.0
A
80
100
150
200
伏
伏
伏
I
FSM
1.0
30
I
R
40
R
θJA
120
C
J
30
A
AMP
1.0
mA
O
AMP
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
热阻
二极管的结电容
储存温度
特征
R
θJA
结到环境
C
J
F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
-55到+125
T
J
TSTG
90
C / W
pF
O
℃/W
PF
℃
℃
-55
T
英镑
-
65
到+175
130
-55到+150
+150
C
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
伏
*1
额定阻断电压DC
V
符号
RRM
注意事项：
(V)
*3
V
RMS
*2
@T A = 125 ℃
V
R
(V)
(V)
V
F
(V)
I
R
*4
操作
温度
T
J
, (
O
C)
-55到+100
0.5
* 1重复峰值反向电压
10
* 2 RMS电压
MAMP
SL12-N
14
20
0.38
20
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
* 3连续反向电压
* 4最大正向电压@ I
F
=1.0A
40
28
2-热阻结点到环境
40
SL14-N
0.40
2012-06
威伦电子股份有限公司。
201 -
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
