16.0A
肖特基二极管-40V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
的TO-220封装
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
FM120-M
SR1640C
THRU
THRU
FM1200-M
SR16200C
包
无铅产品
特点
包装外形
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板
‧Case ： TO- 220
空间。
•
低功耗，高效率。
=案例
材料：模压塑料，防火
•
高电流能力，低正向电压降。
分类额定值94V- 0
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
‡端子：
雾锡完成了退火铜
•
超高速开关。
引线框架。每MIL -STD- 202焊接的
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
·重量：
1.948克（近似值）
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
更好的反向漏电流和耐热性。
机械DATE
TO-220
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOD-123H
.413(10.5)
.374(9.5)
.129(3.3)
.1(2.54)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.153(3.9) .187(4.82)
.146(3.7) .148(3.8)
.270(6.9)
.230(5.8)
.053(1.4)
.043(1.1)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
.624(15.87)
.578(14.7)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
特点
： UL94 -V0额定阻燃
•
环氧树脂
●保护
响过电压保护
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
高¡
正向浪涌能力
高¡
工作频率
•
极性：由阴极频带指示
■组件
按照RoHS 2002/95 / EC
•
安装位置：任意
‧
无铅封装可用
•
重量：的逼近0.011克
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.057(1.45)
.046(1.16)
.177(4.50)
.140(3.56)
.583(14.8)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.039(1.00)
.499(12.7)
.023(0.60)
尺寸以英寸（毫米）
.028(0.7)
.014(0.36)
.102(2.6)
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
.126
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
.091(2.3)
(3.20)
最大额定值和
代码后缀“H”的
无卤素产品包装
电气特性
尺寸以英寸（毫米）
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
DC
I
O
12
20
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
安培
℃/W
PF
℃
℃
14
最大
评级
V
RMS
最大
RMS电压
（ TA = 25° C除非另有说明）
参数
符号
V
RRM
I
FSM
SR1640
40
28
40
SR1660
60
42
SR16100
70
最大重复峰值反向
单一正弦半波
电压
峰值正向浪涌电流8.3ms
最大RMS
在额定负荷（ JEDEC的方法）
叠加
电压
最大直流阻断电压
2)
典型热阻（注
最大正向平均整流电流（总）
工作温度范围
存储温度范围
典型结电容（注1 ）
V
RMS
C
J
1.0
100
30
SR16150
150
105
SR16200C
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
R
V
DC
θJA
60
100
40
（每站）
T
I
F
J
TSTG
-55到+125
16
8
120
150
-55到+150
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
特征
最大正向电压在1.0A DC
最大瞬时IF = 8A @ 25°C
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
正向电压
IF = 8A @ 100℃
-
65
到+175
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
I
FSM
V
F
I
R
125.0
V
F
I
R
最大DC反向电流@ TC = 25℃
在额定阻断电压DC @ T = 100℃
注意事项：
典型热阻
2-热阻结点到环境
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
0.55
0.52
0.50
0.70
0.60
0.70
0.85
0.70
0.5
10
0.85
0.92
0.80
0.9
0.92
V
伏
毫安
0.5
30
450
350
-55到+125
250
3
0.2
10
200
-55到+150
150
mA
pF
° C / W
°C
°C
1 ，在测
Capacitance(NOTE1)
典型结
1兆赫和应用4.0伏的反向电压。
C
j
工作温度范围
存储温度范围
R
θJC
T
J
T
英镑
-55到+150
注： 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-09
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
