8.0A
肖特基二极管-40V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
TO- 220A封装
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
机械DATE
•
低功耗，高效率。
◆案例：
TO-220A
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高
材料：模压塑料。防火
=案例
浪涌能力。
y
•
Guardring过电压保护。
分类额定值94V- 0
•
超高速开关。
•
硅外延平面
电镀（锡完成）
‡端子：
无铅
芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
每MIL -STD- 202方法208
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
·极性：
免费产品
BAND
阴极
包装代号后缀"H"
卤素
SOD-123H
威伦
FM120-M
SR840
THRU
THRU
FM1200-M
SR8200
包
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
TO-220A
.413(10.5)
.374(9.5)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.153(3.9)
.146(3.7)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.187(4.82)
.148(3.80)
.053(1.4)
.043(1.1)
.129(3.3)
.1(2.54)
.270(6.90)
.230(5.80)
·重量：
1.899克（近似值）
机械数据
.624(15.87)
.578(14.70)
.047MAX.
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
特点
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
‧Guardring
：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
•
码头
过电压保护
(1.2)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
.583(14.8)
.039(1.00)
.531(12.7)
.023(0.60)
•
安装位置：任意
■组件
按照RoHS 2002/95 / EC
•
重量：的逼近0.011克
.102(2.60)
‧
无铅封装可用
.126
最大额定值和电气特性
.091(2.30)
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
(3.20)
Very
小
方法2026
损失
y
传导
ULOW
正向电压降
.057(1.45)
.046(1.16)
.177(4.50)
.140(3.56)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.028(0.70)
.014(0.36)
尺寸以英寸（毫米）
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
SR8100
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
最大额定值
整流电流
最大正向平均
（ TA = 25° C除非另有说明）
I
O
参数
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
符号
最大重复峰值反向电压
最大RMS
电容（注1 ）
典型结
电压
最大
温度范围
操作
阻断电压DC
存储温度范围
最大正向平均整流电流
典型热阻（注2 ）
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
RRM
R
θJA
I
FSM
SR840
40
28
SR860
SR8150
SR8200
200
140
200
单位
安培
V
V
RMS
C
J
V
T
J
DC
F
60
42
60
100
40
150
-55
40
+125
70
120
105
-55到+150
150
V
℃/W
V
V
A
PF
℃
℃
100
TSTG
I
-
65
到+175
8
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
特征
正弦波
在正向电压
在额定负荷
叠加
1.0A DC
最大
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
I
FSM
125.0
A
V
F
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
伏
最大
在平均反向电流
电压
最大
正向
@T A = 25 ℃
IF = 8A @ 25°C
电压
@T A = 125 ℃
额定DC阻断
最大DC反向电流@ TC = 25℃
注意事项：
在额定阻断电压DC @ T = 100℃
典型结电容（注1）
I
R
F
V
0.55
0.5
30
420
0.70
0.5
0.85
10
0.92
0.2
10
230
-55到+150
200
V
毫安
mA
pF
I
R
C
j
T
J
T
英镑
R
θJC
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
300
-55到+125
260
3
-55到+150
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
° C / W
°C
°C
注： 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-08
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
