FM120-M
TK3904LLD03
THRU
WBFBP - 03D塑封装
整流器-20V- 200V
FM1200-M
1.0A表面装载肖特基
晶体管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
晶体管
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
描述
优化电路板空间。
NPN外延
低功耗，高效率。
•
硅晶体管
•
高电流能力，低正向电压降。
特点
•
高浪涌能力。
•
模具结构
外延平面
Guardring过电压保护。
•
PNP类型可用（ TK3906LLD03 ）
补充
超高速开关。
•
硅外延平面
超小型表面贴装封装
芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
也可以在无铅版本
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
应用
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
包
无铅PROD
特点
包装外形
SOD-123H
C
WBFBP-03D
(1.0×1.0×0.5)
单位：mm
顶部
0.130(3.3)
B
E
C
后
E
0.146(3.7)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1.基地
2.辐射源
3.收集
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
重量：的逼近0.011克
im
V
40
6
V
V
12
A
20
最大
除非另有说明）
最大额定值（T
a
=25℃
额定值和电气特性
在25 ℃评分
参数
环境温度，除非
价值
另有规定ED 。
符号
单位
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
C
T
J
T
英镑
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
集电极 - 基极电压
60
对于容性负载，减免电流20 ％
集电极 - 发射极电压
评级
最大的经常峰值反向电压
集电极电流 - 连续
最大RMS电压
集电极耗散
最大直流阻断电压
Pr
el
发射极 - 基极电压
V
EBO
标识代码
INA
C
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
极性：由阴极频带指示
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
安装位置：任意
方法2026
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200
ry
标记： 1N
通用放大器，开关
机械数据
便携式
•
设备： （即。
额定阻燃
MD ， CD - ROM ，
手机， MP3 ，
环氧树脂： UL94 -V0
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，
无铅封装可用
每MIL -STD- 750可焊性
B
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
1N
B
E
0.2
V
RRM
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
40
民
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
0.1
V
RMS
W
14
结温
最大正向平均整流电流
储存温度
-55~150
I
O
150
V
DC
℃
20
I
FSM
℃
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
电气特性（T
a
=25℃
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
工作温度范围
存储温度范围
集电极 - 发射极击穿电压
符号
C
J
测试条件
-55
V
（ BR ） CBO
T
J
I
C
=10μA,I
E
=0
+125
I
C
V
（ BR ） CEO
TSTG
=1mA,I
B
=0
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
E
=10μA,I
C
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=1V,I
C
=0.1mA
V
CE
=1V,I
C
=1mA
V
CE
=1V,I
C
=10mA
V
CE
=1V,I
C
=50mA
V
CE
=1V,I
C
=100mA
I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
C
=50mA,I
B
=5mA
I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
C
=50mA,I
B
=5mA
V
F
I
R
除非另有规定编）
R
θJA
典型值
最大
单位
V
V
V
60
-
65
到+175
40
-55到+150
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
在1.0A DC
最大正向电压
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-
6
V
CE
=30V,V
EB （O FF ）
=3V
I
EBO
发射极截止电流
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
h
FE(1)
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
0.50
0.70
0.5
0.85
0.05
0.1
μA
0.9
μA
0.92
直流电流增益
注意事项：
h
FE(2)
h
FE(4)
h
FE(5)
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
40
10
70
100
60
30
0.2
0.3
0.65
300
0.85
0.95
V
V
V
V
300
h
FE(3)
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
2012-06
V
CE
=20V,I
C
=10mA,f=100MHz
兆赫
威伦电子有限公司
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
