FM120-M
THRU
TK3906LLD03
WBFBP - 03D塑封装
整流器-20V- 200V
晶体管
FM1200-M
1.0A表面装载肖特基
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
晶体管
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
描述
•
低功耗，高效率。
PNP外延硅晶体管
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
特点
•
Guardring过电压保护。
外延平面片建设
•
超高速开关。
互补NPN类型可用（ TK3904LLD03 ）
结。
•
硅外延平面芯片，金属硅
超小型表面贴装封装
环保标准
•
无铅零件符合
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
也可以在无铅版本
威伦
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
C
WBFBP-03D
(1.0×1.0×0.5)
单位：mm
顶部
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
B
1.基地
2.辐射源
3.收集
E
C
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
应用
机械数据
通用放大器，开关
对于便携式设备（即。
额定阻燃
•
环氧树脂： UL94 -V0
手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM
•
笔记本电脑等）
SOD-123H
案例：模压塑料，
,
•
码头
可用
每MIL -STD- 750可焊性
：镀金端子，
无铅封装
后
E
B
0.040(1.0)
0.024(0.6)
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
im
-5
12
最大额定值和电气特性
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
符号
单相半波，
参数
60Hz的，感性负载的电阻。
价值
V
CBO
对于容性负载，减免电流20 ％
集电极 - 基极电压
-40
INA
单位
V
14
40
28
40
15
50
35
50
20
V
RRM
-200
14
V
RMS
100
I
O
13
V
30
mA
21
30
20
1250
符合RoHS的产品
:
填料
由阴极频带
•
极性指示
代号后缀“G”
方法2026
V
首席执行官
I
C
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
评级
V
符号
-40
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大的经常峰值反向电压
集电极电流 - 连续
最大RMS
耗散
动力
电压
Pr
el
150
V
EBO
标识代码
发射极 - 基极电压
R
Ɵ
JA
最大直流阻断电压
结到环境
V
DC
热阻，
最大正向平均整流电流
工作温度
ry
3N
B
E
mW
℃
℃
℃/W
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
标记： 3N
C
储存和温度
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
参数
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
典型热阻（注2 ）
R
θJA
-55~150
I
FSM
典型值
集电极 - 基极击穿电压
工作温度范围
典型结电容（注1 ）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
EBO
C
J
T
J
测试条件
铭
I
C
=-10μA,I
E
=0
+125
-55
I
E
=-10μA,I
C
=0
-40
-5
40
120
最大
单位
V
V
V
集电极 - 发射极击穿电压
存储温度范围
-55到+150
V
（ BR ） CEO
I
C
=-1mA,I
B
=0
TSTG
-
-40
到+175
65
发射极 - 基极击穿电压
发射极截止电流
特征
集电极截止电流
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
注意事项：
I
CEX
符号
FM120-MH
EB （O FF ）
=-3V
V
CE
=-30V,V
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
-0.05
μA
V
F
I
R
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-1V,I
C
=-1mA
V
CE
=-1V,I
C
=-10mA
V
CE
=-1V,I
C
=-50mA
0.50
0.70
0.85
0.5
-0.1
μA
0.9
0.92
h
FE(1)
@T A = 125 ℃
h
FE(2)
h
FE(4)
h
FE(5)
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
V
CE
=-1V,I
C
=-0.1mA
60
10
80
100
60
30
-0.25
-0.4
-0.65
250
威伦
-0.85
-0.95
V
V
V
V
300
直流电流增益
1兆赫和施加的反向电压
h
FE(3)
1 ，在测
4.0 VDC 。
2-热阻结点到环境
V
CE
=-1V,I
C
=-100mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
V
CE
=-20V,I
C
=-10mA,f=100MHz
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
2012-06
兆赫
电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
