W24258/LL
32K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24258 / LL是一个正常的速度，极低的功耗CMOS静态RAM组织为32768
×
8位
可以工作在单5伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
特点
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•
低功耗：
−
主动： 350毫瓦（最大）
−
待机： 25
µW
（ MAX 。 ）
访问时间： 55/70纳秒（最大）
单5V电源
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
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•
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
封装采用28引脚600密耳DIP， 330万SOP
与标准型1 TSOP （ 8毫米
×
13.4
mm)
销刀豆网络gurations
框图
CLK GEN 。
A12
A14
A2
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
预充电CKT 。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-pin
DIP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
DD
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A3
A4
A5
A6
A7
A13
I/O1
I/O8
核心单元阵列
512行
64× 8列
数据
CNTRL 。
CLK
将军
I / O CKT 。
列解码器
WE
CS
OE
A11 A10 A1 A0 A8 A9
引脚说明
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
DD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
28-pin
TSOP
符号
A0−A14
I/O1−I/O8
CS
WE
OE
V
DD
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
-1-
出版日期： 1998年11月
修订A5
WINBOND [ WINBOND ]
