W25Q80BV
1.概述
该W25Q80BV （ 8M位）串行Flash存储器提供了空间有限的系统存储解决方案，
引脚和电源。该25Q系列提供了灵活性和性能远远超出普通的串行闪存
设备。他们是理想的阴影到RAM中的代码，直接从双代码执行/四路SPI （ XIP ）
和存储的语音，文本和数据。该器件工作于2.7V至3.6V单电源与电流
消费低至4毫安主动和1μA的关断模式。
该W25Q80BV阵列是由每256字节4096可编程页面。多达256个字节
可以在一个时间被编程。网页可以在16组（ 4KB扇区擦除）被删除， 128组
（ 32KB块擦除） ， 256 （ 64KB块擦除）组或整个芯片（芯片擦除） 。该W25Q80BV
分别拥有256可擦除扇区和16个可擦除块。小4KB扇区允许更大
灵活性，需要的数据和参数的存储的应用程序。 （见图2 ）
该W25Q80BV支持标准的串行外设接口（SPI） ，和高的性能
双核/四输出以及双/四通道I / O SPI ：串行时钟，片选，串行数据I / O0 （ DI ） ， I / O1
（ DO）的I / O 2 （ / WP）和I / O3 （ / HOLD） 。高达104MHz的SPI时钟频率被支持，允许
208MHZ的等效时钟频率（ 104MHz的×2）的双I / O和416MHz的（ 104MHz的×4）为四I / O
使用快速阅读时，双/四通道I / O指令。这些传输速率可以超越标准
异步8位和16位并行Flash存储器。连续读取模式可实现有效的
以少至8个时钟的指令开销的存储器访问来读取一个24位地址，允许真
XIP运行（执行到位） 。
一抱脚，写保护引脚和可编程写保护，与顶部，底部或补阵
控制，提供了进一步的控制灵活性。此外，该器件支持JEDEC标准制造商
和设备标识与64位唯一序列号。
2.特点
•
家庭SpiFlash的产品的记忆
- W25Q80BV ： 8M位/ 1M字节（ 1,048,576 ）
- 每个可编程页256字节
- 标准的SPI ： CLK ， / CS ， DI ， DO ， / WP ， /保持
- 双SPI ： CLK ， / CS ， IO
0
，木卫一
1
， / WP ， /保持
- 四通道SPI ： CLK ， / CS ， IO
0
，木卫一
1
，木卫一
2
，木卫一
3
•
最高性能的串行闪存
- 104MHz的双核/四SPI时钟
- 208 / 416MHz的等效双/四路SPI
- 50MB / S的连续数据传输率
- 截至普通串行闪存的8倍
- 超过100,000次擦除/编程
(1)
- 超过20年的数据保留
•
高效“的连续读取模式”
- 低开销指令
- 连续读取与8位/ 16 /32/ 64字节包裹
- 仅仅在8个时钟周期来处理内存
- 允许真正的XIP （执行到位）操作
- 性能优于X16并行闪存
•
低功耗，宽温度范围
- 单2.7至3.6V电源供电
- 4毫安有功电流， <1μA掉电电流
- -40 ° C至+ 85 ° C的工作范围
•
灵活的架构与4KB扇区
- 统一扇区擦除（ 4K字节）
- 统一的块擦除（ 32K和64K字节）
- 计划一个256个字节
- 擦除/编程挂起&简历
•
高级安全特性
- 软件和硬件写保护
- 顶部/底部， 4KB的补充保护阵列
- 向下锁定和OTP保护阵列
- 对于每个设备64位唯一序列号
- 可发现参数（小农发展方案）注册
- 3X256字节安全寄存器与OTP锁
- 挥发性&非易失性状态寄存器位
•
节省空间的封装
- 8引脚SOIC 150
(2)
/208-mil
- 8 - 垫WSON引脚6x5毫米
- 采用8引脚PDIP 300万
- 联系华邦KGD和其他选项
注意事项1.超过100,000块擦除/编程周期为工业和汽车温度;超过10000
整片擦除/编程周期，符合AEC -Q100测试。
2. SOIC - 8 150mil是一个特殊的订单包裹，请联系华邦的订购信息。
-5-
出版日期： 2010年10月6日
版本D
WINBOND [ WINBOND ]
