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W27E257P-12 参数 Datasheet PDF下载

W27E257P-12图片预览
型号: W27E257P-12
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内容描述: 32K ×8的电可擦除EPROM [32K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 14 页 / 227 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W27E257
待机模式
在待机模式下显著降低V
CC
电流。该模式时进入CE = V
IH
。在
待机模式中,所有的输出均处于高阻抗状态,独立的OE 。
两线输出控制
由于EPROM中的大内存阵列经常使用的, W27E257提供了两个控制输入
多个内存连接。两线控制提供尽可能低的功耗内存
耗散,并确保不会发生数据总线争用。
系统注意事项
EPROM电源开关特性需要仔细的去耦装置。系统设计人员
有兴趣的三种电源电流问题:待机电流水平(我
SB
) ,有源电流电平(I
CC
) ,以及
通过CE的上升沿和下降沿产生的瞬态电流峰值。瞬态电流幅值
依赖于器件输出的电容和电感负载。两线的控制和适当的
去耦电容的选择将抑制瞬态电压尖峰。每个设备应该具有0.1
µ
F的陶瓷电容连接它的V之间
CC
和GND 。这种高频率,低inherent-
电感电容应尽可能靠近设备。此外,对于每八个
设备, 4.7
µF
电解电容应放置在阵列的电源连接
V之间
CC
和GND 。大容量电容器将克服由PC电路板迹线电压衰退
电感。
TABLE操作模式
(V
PP
= 12V, V
PE
= 14V, V
HH
= 12V, V
CP
= 5V ,X = V
IH
或V
IL
)
模式
CE
输出禁用
待机( TTL)的
待机(CMOS)
节目
程序校验
禁止程序
抹去
擦除验证
禁止删除
产品标识,生产厂家
产品标识符的设备
V
IL
V
IL
V
IH
V
CC
±0.3V
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
X
X
V
IL
V
IH
引脚
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
PE
X
X
V
HH
V
HH
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CP
V
CP
V
CP
V
CC
V
CC
V
CP
V
CC
V
CC
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PE
V
PE
V
PP
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
D
IH
D
OUT
高Z
DA (十六进制)
02 (十六进制)
-3-
出版日期: 1997年1月
修订A3