W27L02
6.功能描述
读取模式
像常规UVEPROMs ，所述W27L02具有两个控制功能，并在这两个产生数据
的输出。
#CE是功率控制和片选。 #OE控制所述输出缓冲器到栅极的数据到输出引脚。
当地址是稳定的，该地址访问时间（T
加
）等于延迟从#CE到输出
(T
CE
） ，以及数据可在输出Ť
OE
#OE的下降沿之后，如果T
加
和T
CE
计时
得到满足。
擦除模式
擦除操作是从"0"数据更改为"1."不同于传统的UVEPROMs的唯一途径，
其中使用紫外线来擦除整个芯片（一个过程，需要长达半的内容
小时） ，该W27L02采用电擦除。通常，该芯片可在100毫秒通过使用擦除
EPROM写入器有特殊的擦除算法。
有两种方式可以进入擦除模式。一是提高V
PP
到V
PE
(12V), V
DD
= V
CE
（5V） ， #CE低，
#OE高， A9 = V
HH
（12V） ，而所有其他的地址引脚被保持在固定的低或高。脉冲#PGM低
开始擦除操作。另一种方法是有点像闪光，通过编程的两个连续
命令输入到该设备，然后进入擦除模式。这两个命令加载数据= AA （十六进制）
要地址。 = 5555 （十六进制）和数据= 10 （十六进制）来寻址。 = 2AAA （十六进制） 。要小心，要注意的是， #PGM脉冲
宽度这两个命令是不同的：一种是100
µS,
而另一种是100毫秒。请参阅
智能擦除算法1 & 2 。
擦除验证模式
在擦除操作之后，所有的芯片中的字节必须进行验证，以检查它们是否已经
成功擦除到"1"与否。擦除校验模式可自动确保大幅擦除
利润率。此模式将擦除操作后，如果要输入V
DD
= V
PE
（5V） ， #CE低， #OE低，
#PGM高
.
编程模式
编程被执行，正是因为它是在常规UVEPROMs和编程是唯一
办法单元格数据改变从"1"至"0."程序模式时输入V
PP
被升高到V
PP
(12V),
V
DD
= V
CP
（5V） ， #CE低， #OE高时，地址引脚等于所需的地址，并输入引脚
等于期望的输入。脉冲#PGM低开始编程操作。
程序校验模式
所有在芯片中的字节必须进行验证，以检查其是否已被成功编程
与所需的数据或没有。因此，在每个字节进行编程，程序验证操作应
来执行。该程序验证模式可自动确保重大项目保证金。此模式
该程序运行后，如果将输入V
PP
= V
PP
（ 12V ） ， #CE低， #OE低
,
和#PGM高。
擦除/编程禁止
擦除或编程禁止模式允许并行擦除或多个芯片用不同的编程
数据。当#CE高，擦除或者非目标芯片编程被抑制，从而使除
#CE的W27L02可能有共同的投入。
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