W28V400B/T
6.引脚说明
符号。
A
−
1
A0
−
A17
TYPE
名称和功能
地址输入：
地址在写周期期间被内部锁存。
A
−
1 ：字节选择地址。不使用
×
16模式。
A0
−
A10 ：行地址。选择1 2048字线。
A11
−
A14 ：列地址。选择116的位线。
A15
−
A17 ：主块地址。 （引导和参数块地址A12
−
A17.)
数据输入/输出：
DQ0
−
DQ7 ：崔在写周期的输入数据和命令;存储阵列中的数据输出，
状态寄存器和识别码读周期。数据引脚浮到高阻抗当芯片
取消或输出被禁止。数据在写周期期间内部锁存。
DQ8
−
DQ15 ：在CUI中的写周期输入数据
×
16模式;存储阵列中的数据输出
读周期
×
16模式;不使用状态寄存器中，标识符代码读取模式。数据引脚
浮到高阻抗，当芯片被选中，输出被禁用，或在
×
8模式（ #Byte =
V
IL
） 。数据在写周期期间内部锁存。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器和读出放大器。
＃ CE-高释放器件降低功耗待机水平。
RESET /深度掉电：
使器件处于深度掉电模式和内部复位
自动化。 RESET ＃高能够进行正常操作。当驱动为低电平， #RESET抑制写
其操作过程中的功率转换提供数据保护。从深度掉电退出
设置设备来读取阵列模式。随着#RESET = V
HH
，块擦除或字/字节写操作
运行于所有块不#WP状态。块擦除或字/字节写入与V
IH
< #RESET < V
HH
产生虚假的结果，不应该尝试。
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据锁存
该#WE脉冲的上升沿。
写保护：
主控制引导块锁定。当V
白细胞介素，
锁定引导块不能
擦除和编程。
字节使能：
#BYTE V
IL
将器件置于字节模式（ × 8 ） ，所有的数据被输入或输出上
DQ0
−
7 ，和DQ8
−
15浮动。 #BYTE V
IH
放置在字模式（ × 16 ）的设备，并关闭
A- 1的输入缓冲区。
READY / BUSY ＃ ：
表示内部WSM的状态。当低， WSM的执行
内部操作（块擦除或字/字节写） 。 RY / BY ＃高表明WSM就绪
新的命令，块擦除挂起，字/字节写操作是无效的，字/字节写操作
暂停或设备处于深度掉电模式。 RY / BY ＃始终是积极的，不会漂浮
当芯片被取消或数据输出被禁止。
块擦除和字/字节写入电源：
擦除阵列块或写
字/字节。随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。块擦除和字/字节
用无效的V写
PP
（见DC特性）产生虚假的结果，不应该
企图。
器件电源：
内部检测器件配置为2.7V ， 3.3V或5V操作。
从一个电压转换到另一个，斜V
DD
低至V
SS
然后斜V
DD
到新
电压。不浮动任何电源引脚。随着V
DD
≤
VLKO ，所有试图写入到闪存的
抑制。在无效的V器件业务
DD
电压（见DC特性）产生的杂散
结果，不应该尝试。
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是不是内部的连接;它可被驱动或浮置。
表1中。
输入
DQ0
−
DQ15
输入/
产量
#CE
输入
#reset
输入
#OE
#WE
#WP
输入
输入
输入
#byte
输入
RY / BY ＃
产量
VPP
供应
V
DD
供应
V
SS
NC
供应
-7-
出版日期： 2003年4月11日
修订版A4
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