欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

W29C020CT90B 参数 Datasheet PDF下载

W29C020CT90B图片预览
型号: W29C020CT90B
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256K ×8 CMOS FLASH MEMORY [256K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 21 页 / 194 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
 浏览型号W29C020CT90B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W29C020CT90B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W29C020CT90B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W29C020CT90B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W29C020CT90B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W29C020CT90B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号W29C020CT90B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号W29C020CT90B的Datasheet PDF文件第9页  
W29C020C
256K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W29C020C是2兆, 5伏的CMOS只闪组织为256K内存
×
8位。该
装置可以写入(擦除和编程)的在系统使用标准的5V电源。一个12伏
V
PP
不是必需的。该W29C020C的独特的细胞结构导致在快速写入
(擦除/编程)相对于其他可比5具有极低的电流消耗操作
伏闪存产品。该装置还可以写通过使用(擦除和编程)
标准EPROM编程器。
特点
单5伏写(擦除和编程)
软件和硬件的数据保护
低功耗
工作电流:25 mA(典型值)
µA
(典型值)。
操作
快速页写操作
每页128字节
页写(擦除/编程)周期: 10毫秒
( MAX 。 )
有效字节写入(擦除/编程)周期
时间: 39
µS
可选的软件保护的数据写入
快速的芯片擦除操作: 50毫秒
两次与锁定8 KB的引导块
整个芯片的循环: 10K (典型值)。
读访问时间: 70/90/120纳秒
二十年的数据保留
自动写(擦除/编程)与时序
内部V
PP
GENERATION
写结束(擦除/编程)检测
切换位
数据轮询
锁存地址和数据
所有输入和输出直接TTL兼容
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包: 32引脚600密耳DIP , 32引脚
TSOP和32引脚PLCC
-1-
出版日期: 2000年4月
A2版