W29C020
256K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W29C020是2兆, 5伏的CMOS只闪组织为256K内存
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8位。该
装置可以写入(擦除和编程)的在系统使用标准的5V电源。一个12伏
V
PP
不是必需的。的W29C020结果快速写入独特的单元架构(擦除/编程)
极低的电流消耗操作相比其他同类5伏闪光
内存产品。该装置也可以被写(擦除和编程)通过使用标准
EPROM编程器。
特点
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单5伏写(擦除和编程)
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软件和硬件的数据保护
低功耗
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工作电流:25 mA(典型值)
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µA
(典型值)。
操作
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快速页写操作
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每页128字节
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页写(擦除/编程)周期: 10毫秒
( MAX 。 )
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有效字节写入(擦除/编程)周期
时间: 39
µS
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可选的软件保护的数据写入
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快速的芯片擦除操作: 50毫秒
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两次与锁定8 KB的引导块
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典型的页写(擦除/编程)周期:
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自动写(擦除/编程)与时序
内部V
PP
GENERATION
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写结束(擦除/编程)检测
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切换位
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数据轮询
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锁存地址和数据
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所有输入和输出直接TTL兼容
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JEDEC标准的字节宽引脚
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可用的软件包: 32引脚600密耳DIP, 450密耳
100/1K/10K
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读访问时间: 70/90/120纳秒
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十年的数据保留
SOP , TSOP和32引脚PLCC
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出版日期: 1998年2月
修订A3