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W29C020T-70 参数 Datasheet PDF下载

W29C020T-70图片预览
型号: W29C020T-70
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内容描述: 256K ×8 CMOS FLASH MEMORY [256K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 21 页 / 267 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W29C020
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
工作温度
储存温度
任何引脚的直流电压对地电位,除了A9
任何引脚瞬态电压( <20 NS)接地电位
在A9和OE引脚电压对地电位
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
-0.5到V
DD
+1.0
-1.0到V
DD
+1.0
-0.5至12.5
单位
V
°C
°C
V
V
V
注:暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
工作特性
(V
DD
= 5.0V
±10%,
V
SS
= 0V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
符号。
测试条件
分钟。
范围
典型值。
-
马克斯。
50
单位
电源电流
I
CC
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
,
所有的DQ打开
地址输入= V
IL
/V
IH
,
在f = 5兆赫
-
mA
待机V
DD
当前
( TTL输入)
待机V
DD
当前
( CMOS输入)
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压
CMOS
I
SB
1
CE = V
IH
所有的DQ打开
其它输入= V
IL
/V
IH
-
2
3
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
I
SB
2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
CE = V
DD
-0.3V ,所有的DQ
开放
V
IN
= GND到V
DD
V
IN
= GND到V
DD
-
-
I
OL
= 2.0毫安
I
OH
= -400
µA
I
OH
= -100
µA;
V
CC
= 4.5V
-
-
-
-
2.0
-
2.4
4.2
20
-
-
-
-
-
-
-
100
10
10
0.8
-
0.45
-
-
- 10 -