W29C040T-90 参数 Datasheet PDF下载

型号：	W29C040T-90
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内容描述：	512K ×8 CMOS FLASH MEMORY [512K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用：
文件页数/大小：	20 页 / 257 K
品牌：	WINBOND [ WINBOND ]

W29C040

512K

8 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W29C040是4兆， 5伏的CMOS只页面模式，组织成512K EEPROM

8位。

该装置可被写入（擦除和编程）的在系统与标准5V电源。一

12伏V

不是必需的。的W29C040结果快速写入独特的单元架构（擦除/

程序）操作具有非常低的电流消耗相比其他可比的5伏

闪存产品。该装置也可以被写（擦除和编程）通过使用标准

EPROM编程器。

特点

•

单5伏写（擦除和编程）

操作

快速页写操作

−

每页256字节

−

页写（擦除/编程）周期： 5毫秒

（典型值）。

−

有效字节写入（擦除/编程）周期

时间： 19.5

µS

−

可选的软件保护的数据写入

•

软件和硬件的数据保护

低功耗

−

工作电流：25 mA（典型值）

−

µA

（典型值）。

•

自动写（擦除/编程）与时序

内部V

GENERATION

写结束（擦除/编程）检测

−

切换位

−

数据轮询

•

快速的芯片擦除操作： 50毫秒

两个16锁定KB引导块

典型的页写（擦除/编程）周期：

1K / 10K （典型值）。

读访问时间：一百二十○分之九十〇纳秒

十年的数据保留

•

锁存地址和数据

所有输入和输出直接TTL兼容

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： TSOP和PLCC

-1-

出版日期： 1999年5月

修订A5

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